Electronica

Páginas: 10 (2348 palabras) Publicado: 1 de diciembre de 2014

1) CONDUCTOR"
Un conductor eléctrico es aquel cuerpo que puesto en contacto con un cuerpo cargado de electricidad transmite ésta a todos los puntos de su superficie. Generalmente elementos, aleaciones o compuestos con electrones libres que permiten el movimiento de cargas.
SEMICONDUCTORES"
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de latemperatura del ambiente en el que se encuentre.
El elemento semiconductor más usado es el silicio.
La característica común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración electrónica.
La diferencia entre conductores, semiconductores y aislantes
Los conductores son todos aquellos que poseen menos de 4 electrones en la capa de valencia, el semiconductor es aquel queposee 4 electrones en la capa de valencia y el aislante es el que posee más de 4 electrones en la capa de valencia.
2)Los metales tienen varios millones de átomos, cada uno con dos o tres electrones en su órbita externa (electrones de valencia). Estos electrones de valencia, en los metales, se caracterizan por una tendencia a liberarse de electrones para lograr cierta estabilidad en cuanto a laconfiguración de los mismos. Cabe destacar que en cambio, en su gran mayoría, los no metales tienen entre unos cuatro y ocho electrones de valencia, que carecen de esta tendencia.
3)

4) Se le llama así al cristal del semiconductor que es químicamente puro, y que además no presenta defectos en su red cristalina. A 0°k no existen portadores de carga libres, y el semiconductor se comporta como unaislante, pero al incrementarse la temperatura empiezan a generar pares electrón - hueco
5) Un material semiconductor que ha sufrido el proceso de dopado, se denomina material extrínseco
En la actualidad existen dos materiales extrínsecos que son de gran importancia para la fabricación de dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p. Tanto el material tipo n como el tipo p, se formanmediante la adición, de un número predeterminado, de átomos de impureza al germanio o al silicio
6) Una barra de silicio puro está formada por un conjunto de átomos en lazados unos con otros según una determinada estructura geométrica que se conoce como red cristalina
Si en estas condiciones inyectamos energía desde el exterior, algunos de esos electrones de las órbitas externas dejarán de estarenlazados y podrán moverse. Lógicamente si un electrón se desprende del átomo, este ya no está completo, decimos que está cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrón.
El átomo siempre tendrá la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto ennuestro caso, intentará atraer un electrón de otro átomo para rellenar el hueco que tiene.
Toda inyección de energía exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos puntos:
Electrones que se quedan libres y se desplazan de un átomo a otro a lo largo de la barra del material semiconductor de silicio.
Aparición y desaparición de huecos en los diversos átomos del semiconductor.Queda así claro que el único movimiento real existente dentro de un semiconductor el de electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso, Los huecos no se mueven, sólo parece que lohacen.
7) Se llama átomo estable al que tiene completa de electrones su última órbita o al menos dispone en ella de ocho electrones.
8) Los orbitales de valencia es la órbita más lejana al núcleo de un átomo, donde se encuentran los electrones. 
9) La banda de valencia (BV): está ocupada por los electrones de valencia de los átomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran en la...
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