ELECTRONICA

El TRANSISTOR

CLASIFICACIÓN
NPN
Bipolares
PNP
Canal N (JFET-N)
Unión
(JFET)
Transistores

Efecto de
campo
(FET)

Canal P (JFET-P)

Metal-OxidoSemiconductor
(MOSFET)

* FET : Field Effect Transistor

Empobrecimiento Canal N
(Deplexión)
Canal P

Enriquecimiento
(Acumulación)

Canal N
Canal P

Transistor BJT
Transistor bipolar de unión (BJT = Bipolar JunctionTransistor)


Dispositivo semiconductor formado por 3 regiones dopadas alternativamente:
npn (o pnp)



Acción transistor: Captación de portadores mayoritarios procedentes de una unión
p-n polarizada en directa que los emite por otra unión p-n inversamente polarizada y
muy cercana a la anterior



Dos tipos:




Tres terminales: E = Emisor, B = Base, C = Colector
Sólo 2tensiones y 2 corrientes independientes (leyes de Kirchhoff)



4 modos de operación en función de la polarización de las 2 uniones p-n

SATURACIÓN
DIRECTA

ZAD

CORTE
CORTE

SATURACIÓN
ZAI

INVERSA



4 modos de operación en función de la polarización de las 2 uniones p-n

SATURACIÓN
DIRECTA

ZAD

CORTE
CORTE

SATURACIÓN
ZAI

INVERSA

Activa directa: El BJTactúa como amplificador de intensidad:

IC = FIB con F ~ 100.

Fluyen corrientes por la unión BE y casi todos los e- emitidos por E son colectados en C.
Activa inversa: El BJT actúa como amplificador de intensidad:

IE = -RIB con R ~ 1.

Fluyen corrientes por la unión BC y casi todos los e- emitidos por C son colectados en E,
pero son menos que en ZAD.
Saturación: La ganancia enintensidad decae notablemente y la tensión entre C y E es
baja (~corto).
Corte: Corrientes muy bajas en los tres terminales (~abiertos).

TRANSISTOR FET
TRANSISTOR POR EFECTO DE CAMPO (FET = Field Effect Transistor).

PRINCIPIO: El ancho del canal conductor en un semiconductor puede ser
variado por la aplicación de un campo externo.
Se comportan, por lo tanto, como resistores controlados porvoltaje.

MOSFET: Metal oxide
semiconductor FET

Enhancemente mode: En
modo de enriquecimiento
Depletion mode: En modo
de empobrecimiento

FET

JFET: Junction FET o
FET de unión

EL TRANSISTOR JFET
Tipos y Símbolos
D

D
G

G
S
Canal N

S
Canal P

G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Fuente (SOURCE)
El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptorcontrolado por tensión, donde la tensión aplicada a la puerta permite
que circule o no corriente entre drenador y fuente.

Funcionamiento del JFET de canal N

• Unión GS polarizada inversamente
D
Canal
G
UGS

P

P

N
S

• Se forma una zona de transición
libre de portadores de carga y un
canal
• La sección del canal depende de la
tensión UGS

Zona de
transición

• Sise aplica una tensión D-S la
corriente ID por el canal dependerá
de USG y UDS

Funcionamiento del JFET de canal N

D
ID
G
UGS

P

P
UDS
(baja)
N
S

UGS

El canal se
estrecha
Mayor
resistencia
UDS

Entre D y S se presenta una resistencia que varía en función de UGS
(al aumentar la tensión UDS aumenta la corriente ID)

Funcionamiento del JFET de canal N

D

IDUDS + UGS
G

P

UGS=0

P

UGS1

UDS
UGS

UGS

UGS2
N
S

VP

UDS

 El ancho del canal depende también de la tensión UDS Se estecha el
canal y deja pasar menos corriente
 Pasado un límite la corriente ID deja de crecer con UDS  se compensa
el estrechamiento del canal con el comportamiento resistivo

IS

Curvas de salida y transconductancia
Característicasestáticas de un JFET de canal N

Característica
real

G

UGS
Zona resistiva
Zona de fuente de corriente

ID (mA)

D
UDS
S

UGS=0V

30
20

UGS=-2V

10

UGS=-4V
2

4

6

8 UDS (V)

ID

Hay una UGS a
partir de la cual
el canal se
cierra y deja de
pasar corriente
de drenador

UGS0
UGS1
UGS2
UDS

Característica
linealizada

Características estáticas de un...