Electronica

PRE-INFORME
LABORATORIO DE ELECTRONICA
AUTORES: Felipe Gómez; José Barra.
Desarrollo o Diseño #1
Para un transistor NPN y/o PNP (tipo proporcionado por el profesor) diseñe un circuitoamplificador de polarización universal (como el indicado en la figura 1)
Vcc | ± 12[V] |
ICQ | ± 20[mA] |
VCEQ | ± 4[V] |
R1//R2 | 2kΩ |

Figura 1. Circuito de polarización universalRealizamos dos mallas en el circuito (malla in y malla out)
* Malla in:
Utilizando transformación de fuente:
Ifte=VfteRserie=12VR1
Luego tenemos una fuente de corriente en paralelo con dosresistencias en paralelo, por lo que haciendo una equivalencia de resistencias tenemos que:
Req=R1·R2R1+R2
Tenemos una fuente de voltaje en paralelo con Req, por lo que utilizaremos una transformación defuentes.
Vfte=Ifte·Req=12VR1·R1·R2R1+R2=12V·R2R1+R2

Luego tenemos una fuente de voltaje Vfte y una resistencia Req en serie. Después de esto realizamos la malla in.

Vfte=Req·IB+VBE(ON)+IE·RETomamos R1=3.6kΩ ;R2=4.5kΩ
sabemos que IB=ICβ=20mA100 , iE=101100·20mA=20.2mA

12VR1∙R1//R2=R1//R2·IB+0.7V+20.2mA·RE
12V3600∙2000=2000·20mA100+0.7V+20.2mA·RE
Despejando RE nos quedaRE=275.5Ω
* Malla out:
12V=20mA·RC+4V+IE·RE
12V=20mA·RC+4V+20.2mA·275.5Ω
Entonces :
RC=121.6Ω

Desarrollo o Diseño #2
Realizar una estandarización de los valores de resistencias recalcular el puntode trabajo con dichos valores. ¿En qué porcentaje varia el pto. De operación?

Resistencias estandarizadas:

R1=3.6kΩ R2=4.7kΩ RE=270Ω Rc=120Ω

Malla in:12VR1∙R1//R2=R1//R2·IB+0.7V+IC·RE

Sabemos que:
IB=Icβ=Ic100 ; VBE=0.7V

Luego reemplazando los datos anteriores en la ecuación nos queda

12V∙20003600=2000∙Ic100+0.7V+IC∙270Ω (1)
De (1) Factorizando ydespejando Ic da como resultado:

IC=20.57mA
Malla out:
Ic∙Rc+Vce+Ie∙Re=12V

Sabemos que Ie=β+1β·Ic=101100∙20.57mA=0.0207757A

Reemplazando Ie,Rc,Ic,Re y despejamos Vce tenemos...