Electronica

Páginas: 14 (3401 palabras) Publicado: 14 de septiembre de 2010
1.when p and n type semiconductor piece are brought close contact free electrons from the n piece will rush over to fill holes in the p piece , creating a zone on both sides of the contact region devoid of charge carries .what is this zone called ,and what are its electrical characteristics ?
cuando P y piezas de tipo N de semiconductores se ponen en contacto, los electrones libres de lapieza N se apresurará a llenar los agujeros en la pieza P, la creación de una zona a ambos lados de la región de RHE contactenos sin cargo conlleva, lo que es esta zona llamada , Y cuáles son sus características eléctricas.

2. Wtha happens to the thickness of the depletion region in a PN junction when and external voltage is applied to it?
. ¿Qué ocurre con el espesor de la región de agotamientoen una unión PN y externos cuando se aplica voltaje a ella?
3 draw an energy diagram for a PN semiconductor junction showing the motion of electrons and holes conducting an electric current
elaborar un diagrama de energía para una unión semiconductora PN que muestra el movimiento de los electrones y los huecos realización de una corriente eléctrica
4. Engineers and scientists often use energyband diagrams to graphically illustrate the energy levels of electrons in different substances. Electrons are show as solid dots:

Based on these diagrams , answer the following questions
Which type of material is the best conductor of electricity, and why ?
Which type of material is the worst conductor of electricity, and why?
Los ingenieros y científicos a menudo utilizan diagramas deenergía de la banda para ilustrar gráficamente los niveles de energía de los electrones en las diferentes sustancias. Los electrones se muestran como puntos sólidos:
A partir de estos diagramas, conteste las siguientes preguntas
¿Qué tipo de material es el mejor conductor de electricidad, y por qué?
¿Qué tipo de material es el peor conductor de la electricidad, y por qué?

5. describe the differencebetween an intrinsic and an extrinsic semiconducting substance
describir la diferencia entre una intrínseca y extrínseca de una sustancia semiconductores
6. what type of substance must be added to an intrinsic semiconductor in oder to produce “donor” electrons ? when this is done , how do we denote his type of “doped” semiconducting substance?
qué tipo de sustancia se debe agregar a unsemiconductor intrínseco para la producción de "donante" electrones? cuando se hace esto, ¿cómo podemos denotar su tipo de "dopados" sustancia semiconductores?
Likewise, what type of substance must be added to an intrinsic semiconductor in order to produce acceptor holes ? when this is done , how to we denote this type of doped semiconducting substance ?
Asimismo, ¿qué tipo de sustancia sedebe agregar a un semiconductor intrínseco para producir agujeros aceptor? cuando esto se hace, cómo para denotar este tipo de sustancias semiconductoras dopadas?
7.what is the average value of the rectifier voltage half ware , if the peak value is 10v
¿cuál es el valor medio de los utensilios de rectificador de media tensión, si el valor máximo es 10v
8 calculate the peak value of the outputvoltage for the next circuit.
calcular el valor pico de la tensión de salida para el próximo circuito
9. calculate the average value for each voltage , according to the next figures
calcular el valor promedio para cada tensión, de acuerdo con las cifras siguientes
10. according to the circuit ,answer
What kind of rectifier represent ?
What is total peak voltage of the secondary
Determinethe peak voltage though each secondary half
Draw the output voltage through RL
What is the inverse peak voltage for each diode?
10. según el circuito, la respuesta
¿Qué tipo de rectificador representan?
¿Qué es la cresta de la tensión total del secundarioDeterminar la tensión de pico aunque cada media secundariaDibujar la tensión de salida a través de RL
¿Cuál es la tensión de pico...
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