Electronica

1 Introducción a la Electrónica de Potencia y dispositivos de disparo
1. Antecedentes Históricos
1902 Patente del rectificador de vapor de mercurio (P. Cooper-Hewiit=
1904 Diodo termoiónico (J.A. Fleming)
1907 El triodo (Lee de Forest)
1911 Mutador: Rectificadores de cátodo de Hg y cubeta metálica (Hartmann & Braun, B. Schäfer)
1912 Amplificador magnético (GE, E.F.W. Alexanderson)
1922Principio del cicloconvertidor (Meyer-Hazeltine)
1924 Principio del chopper (Burnstein)
1926 Thratron (I. Langmuir-Hull)
1946 Desarrollo del ENIAC: Electronic Numerical Integator and Computer (J.W. Mauchly – J.P. Eckert Jr)
1948 Transistor de punta de contacto (Bell Labs, J. Bardeen-W.H. Brattain-w. Schockley)
1951 Transistor de unión (w. Schockley)
1957 Rectificador controlado de silicio(Bell Labs)
1958 Thyristor (GE) Primer circuito integrado (J. Kilby- R.Noyce)
1960 GTO: Gate Turn-Off Thyristor (GE, H. Ligten – D. Navon)
1964 TRIAC (GE, Gentry et al)
1969 CI MOS
1971 Microprocesador de 4 bit (4004, Intel)
1972 Principio del control vectorial de motores asíncronos (F. Blaschke – K. Hasse)
1974 Microprocesador de 8 bit (8008, Intel)
1979 Control vectorial digital coninversor transistorizado (W. Leonhard)
1980 Convertidor matricial (M. Venturini) DSP µ7720, NEC
1981 NPC : Neutral-Point Clamped (A. Nabae – I. Takahashi – H. Akagi)
1983 IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor –(B.J. Baliga) DSP TMS320C10, Texax Instruments
1984 Creación del World Wide Web
1986 Sistemas Flexibles de transmisión AC (FACTS) (Ignoran) DTC: Direct torque control (M. Depenbrock –I.Takashi)
1990 Dsipositivos de Smart Power
1994World Wide Web Consortium en el MIT
2001 ECONOMAC: Modulo de potencia para convertidores matriciales (EUPEC/Siemens)

2. Terminología
3. UJT, PUT, DIAC, SCR, TRIAC, SUS, SBS, LASCR, GTO, SCS, IGBT, Mosfet de potencia.
El transistor uniunión (UJT)
Es un tipo de transistor compuesto por una barra de silicio tipo N o P en cuyos extremos se tienenlos terminales Base 1 (B1) y Base 2 (B2). En un punto de la barra más próximo a B2 se incrusta un material de tipo P o N dando lugar al terminal de emisor.
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|Símbolo de un UJT de |Circuito equivalente de untransistor uniunión tipo N |


Cuando se polariza el transistor la barra actúa como un divisor de tensión apareciendo una VEB1 de 0,4 a 0,8v. Al conducir el valor de RB1 se reduce notablemente. Observa el circuito equivalente.
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Observando elcircuito de polarización de la figura se advierte que al ir aumentando la tensión Vee  la unión E-B1 se comporta como un diodo polarizado directamente. Si la tensión Vee es cero, con un valor determinado de Vbb, circulará una corriente entre bases que originará un potencial interno en el cátodo del diodo (Vk). Si en este caso aumentamos la tensión Vee y se superan los 0,7v en la unión E-B1 seproduce un aumento de la corriente de emisor (IE)  y una importante disminución de RB1, por lo tanto un aumento de VBE1. En estas condiciones se dice que el dispositivo se ha activado, pasando por la zona de resistencia negativa hacia la de conducción, alcanzando previamente la VEB1 la tensión de pico (Vp).
Para desactivar el transistor hay que reducir IE, hasta que descienda por debajo de laintensidad de valle (Iv).De lo anterior se deduce que la tensión de activación Vp se alcanza antes o después dependiendo del menor o mayor valor que tengamos de tensión entre bases VBB.
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APLICACIONES
Se utiliza en circuitos de descarga en generadores de impulso,...