Electronica

JFET

Este tipo de FET se construye mediante un material semiconductor tipo P ó N y a sus lados se forman uniones con material opuesto y de mucho mayor dopaje que en el cuerpo. En el siguientegráfico se muestra un JFET con canal N.
Vemos que el cuerpo es tipo N y a los costados hay 2 regiones tipo P con dopaje mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones detransición sean mayores en el material tipo N
El principio de funcionamiento se basa en hacer aumentar o disminuir las regiones de transición para controlar el flujo de corriente entre drenador y fuente (ID).Las regiones de transición (indicadas con líneas punteadas) se controlan mediante la tensión VGS.; para ello, es necesario que polarizar inversamente las uniones P-N.


Vemos que el cuerpo estipo N y a los costados hay 2 regiones tipo P con dopaje mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones de transición sean mayores en el material tipo N

DEDUCCIÓN DE LASECUACIONES DEL JFET
Al igual que en el MOSFET de acumulación, se considerarán tres casos:
1.- Cuando el voltaje drenador fuente (VDS) es pequeño comparado con VGS
2.- Cuando el voltaje drenador fuente(VDS) es comparable con VGS
3.- Cuando el voltaje drenador fuente (VDS) es mayor que VGS

1.- Cuando el voltaje drenador fuente (VDS) es pequeño comparado con VGS:
Como VDS es pequeño, podemosaproximar y decir que la región de transición tendrá una distribución constante a lo largo del canal. Con el siguiente esquema mostramos este caso:

En este caso, las cargas libres estarán distribuidasuniformemente en todo el canal y podremos decir:
Jn = e n μn EDS
No consideramos la difusión porque la distribución es uniforme, ni la densidad de huecos por ser portadores minoritarios. EDS es elcampo eléctrico entre drenador y fuente.
Si se cumple en el material tipo n: ND >> 2ni, entonces se puede aproximar: n = ND
Si el ancho del FET es A, entonces la sección transversal del cuerpo...