electronica1



Universidad Abierta Interamericana

Ingeniería en Sistemas Informáticos





Electromagnetismo - Estado Sólido II

Trabajo práctico N° 2 – Curva característica del diodo

Carrera:Ingeniería en Sistemas Informáticos
Profesor: Lic. Enrique Cingolani
Comisión: 5º B
Turno: Noche
Campus: Centro
Año: 2009
Alumnos: Arostegui, Federico
Bayer, Karina
Del Pino, Juan
Farias,Diego

Índice

Síntesis 3
Introducción 3
Práctica 3
Elementos Utilizados 3
Desarrollo de la Experiencia. 4
Parte A. 4
Parte B. 4
Conclusiones. 6



Síntesis
En este TP realizaremosel estudio de la juntura N-P y obtener la curva característica del diodo.
Introducción
El diodo esta formado básicamente por una juntura de semiconductores extrínsecos N (electrones como portadoresmayoritarios) y P (huecos como portadores mayoritarios). La característica de esta juntura es dejar pasar corriente en un solo sentido (al sobrepasar su tensión umbral) y oponerse al paso en sentidoinverso.
Existen dos formas de polarizar al diodo, en Directa y en Inversa. La polarización directa se da cuando el positivo de la fuente se conecta con la zona P del diodo, y la parte negativa dela fuente a la zona N. Cuando la tensión aplicada al diodo supera la tensión de umbral (aproximadamente 0,7 V para el Si y 0,3 V para el Ge) el diodo conduce la corriente eléctrica.
La polarizacióninversa se da cuando el positivo de la fuente se conecta con la zona N del diodo, y la parte negativa de la fuente a al zona P. En esta polarización el diodo no conduce corriente eléctrica.

PrácticaElementos Utilizados
Multímetro (2).
Protoboard.
Resistencia de 2KΩ (nosotros usamos una de 2,2KΩ).
Fuente de Corriente Continua.
Diodos 1N4007 (nosotros usamos un 1N4004). Diodos para suverificación.
Desarrollo de la Experiencia.
Parte A.
Se realizó la medición con el multímetro en la escala de resistencia eléctrica de varios diodos, para verificar dichos valores de resistencia. En...