Electrónica. Transistores FET (unipolares)

Explique que es un FET, sus partes, características estáticas y estructura
FET son las siglas en inglés de Field-Effect Transistor, que significa transistor de efecto de campo. FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente; también pueden plantearse como resistencias controladaspor diferencia de potencial. Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor – Transistor de efecto de campo de unión) y MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET – Semiconductor de óxido de metal FET).
Los terminales de este tipo de transistor se llaman drenador (drain), fuente (source) y compuerta (gate) y para los MOSFET sustrato (B). La región queexiste entre el drenador y la fuente se denomina canal, el cual es el camino obligatorio de los electrones, circulando la corriente de drenaje (D) a fuente (S), mientras que la compuerta (G) controla la corriente de los portadores y Una placa de material tipo p se forma a partir de una base de silicio (sustrato para MOSFET). Su estructura física es la siguiente:
Se conocen como característicasestáticas de FET las representaciones gráficas de las funciones Id= f (Vds.) tomando Vgs como parámetro e Id= f (Vgs), tomando Vds. como parámetro.
Este gráfico muestra que al aumentar el voltaje Vds. (voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rápidamente (se comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estricción), desde donde lacorriente se mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la región de disrupción o ruptura), desde donde la corriente aumenta rápidamente hasta que el transistor se destruye.
Explique que es tensión de contracción, Vp JFET.
En los FET el terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vds.) y la compuerta o gate se polariza negativamente conrespecto a la fuente (-Vgs). A mayor voltaje -Vgs, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal D al terminal S.
Si la tensión inversa crece lo suficiente, las zonas de transición pueden llegar a extenderse hasta unirse y cerrar por completo el canal. En esta situación quedará bloqueada la circulación de portadores a través del mismo. La tensión correspondiente alcierre del canal se denomina tensión de contracción (Vp.).
Explique las características de tensión de un JFET, la resistencia en funcionamiento, región de saturación, región antes de la contracción hasta la saturación, características de transferencia y de corte.
La mayor parte de la estructura es del material de tipo-n que forma el canal entre las capas interiores del material de tipo p. La partesuperior del canal de tipo n se encuentra conectada por medio de un contacto óhmico al terminal drenaje (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de un contacto óhmico al terminal fuente (S). Los dos materiales de tipo p se encuentran conectados entre sí y también a una terminal de compuerta (G). Durante la ausencia de cualesquiera potenciales aplicados el JFETtiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización. El resultado es una región de agotamiento en cada unión. La región de agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es, por tanto, incapaz de soportar la conducción a través de la región.
La corriente de D se controla mediante tensión. Entre D y S el JFET se comporta como una resistencia o una fuente de corriente dependiendo dela tensión VDS. La unión G-S se polariza en zona inversa y existe un valor límite de VGS a partir del cual el canal se cierra y deja de pasar corriente de D. Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Pueden ser de canal n o de canal p.
Debido a que la corriente que circula por el terminal G es prácticamente cero, la resistencia o impedancia de entrada se...