Electrónica
Páginas: 12 (2822 palabras)
Publicado: 14 de marzo de 2014
Electrónica y electricidad.
1
INSTITUCION EDUCATIVA PABLO SEXTO
ÁREA DE ELECTRÓNICA
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN
GRADOS ONCES
2014
José Fernando Arias D íaz
________________________________________________________
INDICADORES
DE
LOGROS
DE
LA GUÍA
embargo,
diciembre
Identificar
tipos
Sin
de
los
distintos
configuraciones
aplicacionesde
y
los
transistores bipolares.
de
industria
registro
nuevo
de
la
23
la
campo
de
1947,
Fue
H
de
un
interés
de
Walter
la
electrónica
aparición
desarrollo.
cuando
el
y
esa
tarde
Brattain
y
Joseph Bardeen demostraron la
acción
INTRODUCCION
primer
Durante el periodo
de 1904 a
1947, el tubo fue,sin duda,
el
dispositivo
electrónico
más interesante y también el
que
más
se
diodo
de
desarrollo.
El
bulbo
fue
introducido por J.A. Fleming
en 1904. Poco tiempo después,
en
1906,
Lee
De
Forest
le
añadió un tercer elemento al
diodo
al
vacio,
denominado
rejilla de control, lo cual
dio
por
primer
género.
resultadoincremento
bulbos
millones
1937.
el
amplificador
de
en
Tríodo
de
su
producción
La
amplificadora
se
un
1922
millón
a
aproximadamente
de
cien
en
transistor
compañía
del
en
Bell
la
Telephone
Laboratories. Las ventajas de
este
dispositivo
sólido
de
respecto
de
tres
estado
terminales
a
al
bulbose
manifestaron
de
inmediato:
era más pequeño y ligero, no
tenia
requerimientos
de
calentamiento o disipación de
calor,
su
construcción
resistente
eficiente
y
era
debido
a
era
más
que
el
mismo
dispositivo
consumía
menos
potencia,
estaba
disponible
requería
de
de
calentamiento
utilizar
inmediato,
un
yperiodo
era
voltajes
operación más bajos.
no
de
posible
de
2
EL
TRANSISTOR
SIN
POLARIZACIÓN
Un
de
muestra
figura,
tiene
dopaje,
en
la
emisor
y
de
tres
zona
como
En
la
figura
anterior
el
se
transistor tiene dos uniones:
siguiente
la
una entre el emisor y la base
inferior
emisor,denomina
de
colector
transistor
zonas
Diodos
la
de
zona
y la otra entre la base y el
colector.
Por
lo
tanto,
un
central es la base y la zona
transistor
superior es el colector. El
diodos
transistor de la figura es un
diodo inferior se denomina el
npn
dispositivo
porque
hay
una zona p entre dos zonas n.
diodo
es
similara
dos
contrapuestos.
emisor
–
simplemente
El
base,
el
o
diodo
emisor. El diodo superior se
denomina
diodo
colector
–
base, o diodo colector.
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
La
operación
del
transistor
npn es exactamente la misma
que si se intercambiaran las
funciones
Estructura de un transistor
Los
transistores
también
deconstituyen como dispositivos
pnp. Un transistor pnp tiene
una zona n entre dos zonas p .
la
figura
emisor
anterior
está
dopado,
y
el
cumplen
hueco.
el
En
la
siguiente figura se dibujo de
nuevo
la
el
transistor
polarización
colector.
similitudes
pnp sin
base
–
Obsérvense
entre
las
esta
situación y aquella del diodo
Niveles deDopaje
En
electrón
que
el
con polarización directa.
fuertemente
la
base
está
ligeramente dopada. El nivel
de
dopaje
del
intermedio
entre
anteriores.
colector
colector
es
los
Físicamente
la
grande de las tres.
zona
es
dos
el
más
Unión con polarización
directa de un transistor pnp
3
Ahora
se...
1
INSTITUCION EDUCATIVA PABLO SEXTO
ÁREA DE ELECTRÓNICA
TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN
GRADOS ONCES
2014
José Fernando Arias D íaz
________________________________________________________
INDICADORES
DE
LOGROS
DE
LA GUÍA
embargo,
diciembre
Identificar
tipos
Sin
de
los
distintos
configuraciones
aplicacionesde
y
los
transistores bipolares.
de
industria
registro
nuevo
de
la
23
la
campo
de
1947,
Fue
H
de
un
interés
de
Walter
la
electrónica
aparición
desarrollo.
cuando
el
y
esa
tarde
Brattain
y
Joseph Bardeen demostraron la
acción
INTRODUCCION
primer
Durante el periodo
de 1904 a
1947, el tubo fue,sin duda,
el
dispositivo
electrónico
más interesante y también el
que
más
se
diodo
de
desarrollo.
El
bulbo
fue
introducido por J.A. Fleming
en 1904. Poco tiempo después,
en
1906,
Lee
De
Forest
le
añadió un tercer elemento al
diodo
al
vacio,
denominado
rejilla de control, lo cual
dio
por
primer
género.
resultadoincremento
bulbos
millones
1937.
el
amplificador
de
en
Tríodo
de
su
producción
La
amplificadora
se
un
1922
millón
a
aproximadamente
de
cien
en
transistor
compañía
del
en
Bell
la
Telephone
Laboratories. Las ventajas de
este
dispositivo
sólido
de
respecto
de
tres
estado
terminales
a
al
bulbose
manifestaron
de
inmediato:
era más pequeño y ligero, no
tenia
requerimientos
de
calentamiento o disipación de
calor,
su
construcción
resistente
eficiente
y
era
debido
a
era
más
que
el
mismo
dispositivo
consumía
menos
potencia,
estaba
disponible
requería
de
de
calentamiento
utilizar
inmediato,
un
yperiodo
era
voltajes
operación más bajos.
no
de
posible
de
2
EL
TRANSISTOR
SIN
POLARIZACIÓN
Un
de
muestra
figura,
tiene
dopaje,
en
la
emisor
y
de
tres
zona
como
En
la
figura
anterior
el
se
transistor tiene dos uniones:
siguiente
la
una entre el emisor y la base
inferior
emisor,denomina
de
colector
transistor
zonas
Diodos
la
de
zona
y la otra entre la base y el
colector.
Por
lo
tanto,
un
central es la base y la zona
transistor
superior es el colector. El
diodos
transistor de la figura es un
diodo inferior se denomina el
npn
dispositivo
porque
hay
una zona p entre dos zonas n.
diodo
es
similara
dos
contrapuestos.
emisor
–
simplemente
El
base,
el
o
diodo
emisor. El diodo superior se
denomina
diodo
colector
–
base, o diodo colector.
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
La
operación
del
transistor
npn es exactamente la misma
que si se intercambiaran las
funciones
Estructura de un transistor
Los
transistores
también
deconstituyen como dispositivos
pnp. Un transistor pnp tiene
una zona n entre dos zonas p .
la
figura
emisor
anterior
está
dopado,
y
el
cumplen
hueco.
el
En
la
siguiente figura se dibujo de
nuevo
la
el
transistor
polarización
colector.
similitudes
pnp sin
base
–
Obsérvense
entre
las
esta
situación y aquella del diodo
Niveles deDopaje
En
electrón
que
el
con polarización directa.
fuertemente
la
base
está
ligeramente dopada. El nivel
de
dopaje
del
intermedio
entre
anteriores.
colector
colector
es
los
Físicamente
la
grande de las tres.
zona
es
dos
el
más
Unión con polarización
directa de un transistor pnp
3
Ahora
se...
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