Elementos de la física del estado solido

REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIÓN SUPERIOR
INSTITUTO UNIVERSITARIO DE TECNOLOGÍA “JOSÉ ANTONIO ANZOÁTEGUI”
ANACO, EDO-ANZOÁTEGUI

PROF. GARCÍA LEONEL
INTEGRANTES:
ITRIAGO JUNIOR C.I N° 18.595.842
PEREZ MANUEL C.I N° 19.390.419
RAMOS SERGIO C.I N° 18.595.697
TORREZ CESAR C.I N° 21.012.743

ANACO 05-2010
CONDUCTOR ELECTRICO
Un conductoreléctrico es aquel cuerpo que puesto en contacto con un cuerpo cargado de electricidad transmite ésta a todos los puntos de su superficie. Generalmente elementos, aleaciones o compuestos con electrones libres que permiten el movimiento de cargas.
AISLANTES
Son materiales que presentan gran resistencia a que las cargas que lo forman se desplacen.
SEMICONDUCTOR ELECTRICO
Un semiconductor es unasustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
DOPAJE
Se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas.
HUECO
Un hueco de electrón, o simplemente hueco, es la ausencia de unelectrón en la banda de valencia.
ELECTRON
El electrón (del griego ἤλεκτρον, ámbar), comúnmente representado por el símbolo: e−, es una partícula subatómica de tipo fermiónico. En un átomo los electrones rodean el núcleo, compuesto únicamente de protones y neutrones.
MATERIAL INTRINSECO
Se le llama así al cristal del semiconductor que es químicamente puro, y que además no presenta defectos en su redcristalina. A 0°k no existen portadores de carga libres, y el semiconductor se comporta como un aislante, pero al incrementarse la temperatura empiezan a generar pares electrón - hueco.
Estos pares electrón - hueco se generan al romperse los enlaces entre los átomos. Igualmente pueden ocurrir aniquilaciones de pares electrón hueco cuando un electrón de la banda de conducción hace una transición ala banda de valencia y ocupa un estado vacío (hueco), este proceso es denominado recombinación.
MATERIAL TIPO “P”
Los materiales tipo P se crean añadiendo elementos de impurezas (átomos) que tengan tres electrones de valencia.
En un material tipo P el hueco se denomina portador mayoritario y el electrón se denomina portador minoritario. Cuando un hueco es ocupado por un electrón, el átomoadquiere una carga positiva neta: a éste se le conoce como ion aceptor y se representa con un círculo encerrando un signo negativo.
EJEMPLO:

Material tipo P, se muestran los iones donadores.
 

MATERIAL TIPO “N”
Los materiales tipo N se crean añadiendo elementos de impureza (átomos) que tengan cinco electrones de valencia, "Pentavalentes".
En un material tipo N el electrón se denominaportador mayoritario y el hueco se denomina portador minoritario. Cuando el quinto electrón (electrón sobrante) de un átomo donador abandona al átomo padre, el átomo que permanece adquiere una carga positiva neta: a éste se le conoce como ion donador y se representa con un círculo encerrando un signo positivo.
EJEMPLO:
 

Material tipo N, se muestran los iones donadores.

TRANSISTOR
Eltransistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos demicroondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos móviles, etc.

BREVE RESEÑA HISTORICA
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y...