Elementos De Memoria
Páginas: 5 (1249 palabras)
Publicado: 14 de septiembre de 2011
ELEMENTOS DE MEMORIA
Un elemento de memoria es aquel elemento capaz de almacenar un estado durante un tiempo determinado.
Una de las características se suele denominar duración de la información. La información permanecerá almacenada indefinidamente hasta que el dato de entrada cambie su valor.
En contraste tenemos otro caso, de la misma forma que hay un condensador parásito, tambiénexiste una resistencia parásita, creando un camino de descarga a través de la resistencia. Como el dato no es regenerado por ningún elemento (como sucede con los inversores en el primer elemento), cuando se sobrepasa un determinado tiempo, que se denomina tiempo de descarga y suele considerarse proporcional al producto RC, la tensión almacenada no es lo suficiente alta como para identificar un nivellógico o cambia su valor. A este tipo de almacenamiento se denomina almacenamiento dinámico; mientras que cuando el dato permanece durante un tiempo indefinido, el almacenamiento se denomina almacenamiento estático.
En el caso del almacenamiento dinámico, para evitar la pérdida de la información es necesario volver a almacenar la información de forma periódica (antes de superar el tiempo dedescarga), lo cual se conoce como ciclo de refresco.
Otra propiedad que podemos encontrar en los ejemplos anteriores consiste en un almacenamiento instantáneo. Cuando el dato de entrada cambia, el valor almacenado en el elemento de memoria cambia de forma instantánea (después de que se haya superado el retraso impuesto por el elemento), como podemos ver en la figura. A esta propiedad se la conoce con elnombre de transparencia, diciéndose entonces que estamos considerando un elemento de memoria transparente.
En contraposición a este tipo de elementos podemos encontrar elementos de memoria no transparentes. En este tipo de elementos, los cambios correspondientes a los datos almacenados no obedecen directamente a los cambios de los datos de entrada, sino que solamente se producirán cuando loindique una señal de control. Como vemos en la siguiente figura.
La señal de control C controla un conmutador que permite o no el paso del dato de entrada al resto del elemento. Así, mientras C tenga un valor bajo, evitando el paso del dato de entrada, el elemento mantiene almacenado el dato anterior (en el caso de las formas de onda se ha supuesto un nivel bajo). En esta fase de operación sedice que el elemento es opaco o está en su fase opaca, de tal forma que se pierde toda influencia respecto a los datos de entrada. En cambio, cuando la señal C permite el paso del dato de entrada, el elemento obedece a este último. En esta fase de operación se dice que el elemento es transparente o está en su fase transparente.
En función de esta señal de control o de criterios de transparencia,podemos clasificar a estos elementos de memoria en:
• Elementos sensibles al nivel o latches.- Son los elementos en los que la fase de transparencia se corresponde con el intervalo en el que la señal de control tiene su nivel activo.
• Elementos de memoria sensibles a la transición o flip-flops.- Son los elementos en los que la fase de transparencia se corresponde con una transición de la señal decontrol, por lo que también se dice que carece de esta fase (por ser un instante y no un intervalo) y por tanto de esta propiedad.
Opinión:
Podemos darnos cuenta de que tan importante son los circuitos integrados básicos en la generación de memoria por el manejo de los estados de esta y como hay varios tipos de memorias que trabajan de diferentes maneras según sea la necesidad de nuestrosisitema
LONGITUD DE PALABRA
La longitud de palabra se refiere al número de bits que puede procesar simultáneamente un microprocesador y está determinada por su arquitectura, es decir, por el tamaño de los registros, de la ALU y de los buses internos.
La longitud de palabra de los microprocesadores ha ido creciendo a través de los años, desde los 4 bits del primer microprocesador hasta los 32...
Un elemento de memoria es aquel elemento capaz de almacenar un estado durante un tiempo determinado.
Una de las características se suele denominar duración de la información. La información permanecerá almacenada indefinidamente hasta que el dato de entrada cambie su valor.
En contraste tenemos otro caso, de la misma forma que hay un condensador parásito, tambiénexiste una resistencia parásita, creando un camino de descarga a través de la resistencia. Como el dato no es regenerado por ningún elemento (como sucede con los inversores en el primer elemento), cuando se sobrepasa un determinado tiempo, que se denomina tiempo de descarga y suele considerarse proporcional al producto RC, la tensión almacenada no es lo suficiente alta como para identificar un nivellógico o cambia su valor. A este tipo de almacenamiento se denomina almacenamiento dinámico; mientras que cuando el dato permanece durante un tiempo indefinido, el almacenamiento se denomina almacenamiento estático.
En el caso del almacenamiento dinámico, para evitar la pérdida de la información es necesario volver a almacenar la información de forma periódica (antes de superar el tiempo dedescarga), lo cual se conoce como ciclo de refresco.
Otra propiedad que podemos encontrar en los ejemplos anteriores consiste en un almacenamiento instantáneo. Cuando el dato de entrada cambia, el valor almacenado en el elemento de memoria cambia de forma instantánea (después de que se haya superado el retraso impuesto por el elemento), como podemos ver en la figura. A esta propiedad se la conoce con elnombre de transparencia, diciéndose entonces que estamos considerando un elemento de memoria transparente.
En contraposición a este tipo de elementos podemos encontrar elementos de memoria no transparentes. En este tipo de elementos, los cambios correspondientes a los datos almacenados no obedecen directamente a los cambios de los datos de entrada, sino que solamente se producirán cuando loindique una señal de control. Como vemos en la siguiente figura.
La señal de control C controla un conmutador que permite o no el paso del dato de entrada al resto del elemento. Así, mientras C tenga un valor bajo, evitando el paso del dato de entrada, el elemento mantiene almacenado el dato anterior (en el caso de las formas de onda se ha supuesto un nivel bajo). En esta fase de operación sedice que el elemento es opaco o está en su fase opaca, de tal forma que se pierde toda influencia respecto a los datos de entrada. En cambio, cuando la señal C permite el paso del dato de entrada, el elemento obedece a este último. En esta fase de operación se dice que el elemento es transparente o está en su fase transparente.
En función de esta señal de control o de criterios de transparencia,podemos clasificar a estos elementos de memoria en:
• Elementos sensibles al nivel o latches.- Son los elementos en los que la fase de transparencia se corresponde con el intervalo en el que la señal de control tiene su nivel activo.
• Elementos de memoria sensibles a la transición o flip-flops.- Son los elementos en los que la fase de transparencia se corresponde con una transición de la señal decontrol, por lo que también se dice que carece de esta fase (por ser un instante y no un intervalo) y por tanto de esta propiedad.
Opinión:
Podemos darnos cuenta de que tan importante son los circuitos integrados básicos en la generación de memoria por el manejo de los estados de esta y como hay varios tipos de memorias que trabajan de diferentes maneras según sea la necesidad de nuestrosisitema
LONGITUD DE PALABRA
La longitud de palabra se refiere al número de bits que puede procesar simultáneamente un microprocesador y está determinada por su arquitectura, es decir, por el tamaño de los registros, de la ALU y de los buses internos.
La longitud de palabra de los microprocesadores ha ido creciendo a través de los años, desde los 4 bits del primer microprocesador hasta los 32...
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