Encapsulamiento
Páginas: 2 (362 palabras)
Publicado: 9 de agosto de 2012
Encapsulado
Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plástico. Por encima de este valor el encapsuladoes metálico y en potencias más elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y así ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altascorrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados.
El encapsulado de un diodo de potencia debe resolver tres problemas: el aislamiento de la pastilla con respecto a la atmósfera para evitar sudeterioro químico, la conexión eléctrica al circuito y la extracción del calor generado por las pérdidas eléctricas.
Los dos tipos principales de encapsulados son el de vástago y el pass-preck. Elempleo de uno u otro depende de la intensidad nominal del diodo.
En el primero de los encapsulados citados, la pastilla se encuentra soldada por su cara inferior a una base de cobre a través de unvástago roscado, que permite fijarla a un disipador metálico que asegura su refrigeración y su conexión al cátodo. Por la cara superior, la pastilla se suelda a un terminal de cobre más pequeño, quele permite su conexión al ánodo. La pastilla se cierra herméticamente en atmósfera inerte mediante una cápsula, bien cerámica o bien metálica.
Cuando los diodos son de intensidades superiores a 700A, se suelen encapsular con placas planas de cobre a ambos lados de la pastilla. Estas placas se fijan a unos radiadores para mejorar la disipación de calor. A este tipo de encapsulado se le denominapass-preck. Una pastilla con este tipo de encapsulado por ambas caras es capaz de trabajar a un 35% por ciento más de intendidad que los de vástago, donde sólo se disipa el calor por el cátodo.
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DO-5 | DO-35 | DO-41 | TO-220AC |
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TO-3 | PWRTAB | PWRTABS | SOT-223 |
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SMA | SMB | SMC | D618sl |
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D2pak | Dpak | TO-200AB...
Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plástico. Por encima de este valor el encapsuladoes metálico y en potencias más elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y así ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altascorrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados.
El encapsulado de un diodo de potencia debe resolver tres problemas: el aislamiento de la pastilla con respecto a la atmósfera para evitar sudeterioro químico, la conexión eléctrica al circuito y la extracción del calor generado por las pérdidas eléctricas.
Los dos tipos principales de encapsulados son el de vástago y el pass-preck. Elempleo de uno u otro depende de la intensidad nominal del diodo.
En el primero de los encapsulados citados, la pastilla se encuentra soldada por su cara inferior a una base de cobre a través de unvástago roscado, que permite fijarla a un disipador metálico que asegura su refrigeración y su conexión al cátodo. Por la cara superior, la pastilla se suelda a un terminal de cobre más pequeño, quele permite su conexión al ánodo. La pastilla se cierra herméticamente en atmósfera inerte mediante una cápsula, bien cerámica o bien metálica.
Cuando los diodos son de intensidades superiores a 700A, se suelen encapsular con placas planas de cobre a ambos lados de la pastilla. Estas placas se fijan a unos radiadores para mejorar la disipación de calor. A este tipo de encapsulado se le denominapass-preck. Una pastilla con este tipo de encapsulado por ambas caras es capaz de trabajar a un 35% por ciento más de intendidad que los de vástago, donde sólo se disipa el calor por el cátodo.
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DO-5 | DO-35 | DO-41 | TO-220AC |
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TO-3 | PWRTAB | PWRTABS | SOT-223 |
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SMA | SMB | SMC | D618sl |
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D2pak | Dpak | TO-200AB...
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