Enlace Covalente y Materiales Intrinsecos

Nombre:
Michel Giovanni Orozco Campos
Matricula:
14060212
Nombre del curso:
Sistemas Electrónicos
Nombre del profesor:
Ricardo Mora Lizarán
Modulo:
1.3 Enlace Covalente y Materiales IntrínsecosActividad:
Resumen
Fecha:
07 septiembre 2015
Bibliografía:
http://cursos.itchihuahua.edu.mx/pluginfile.php/91235/mod_resource/content/1/Apuntes/Unid01.pdf

Titulo:
Enlaces y Materiales
Introducción:
Todoátomo se compone de tres partículas básicas: electrón, protón y neutrón. En la estructura entrelazada, los neutrones y los protones forman el núcleo; los electrones aparecen en órbitas fijasalrededor de éste. El silicio tiene 14 electrones en órbita, el germanio 32, el galio 31 y el arsénico 33 (el mismo arsénico que es un agente químico muy venenoso). En el germanio y el silicio hay cuatroelectrones en la capa más externa, los cuales se conocen como electrones de valencia.
Contenido:
El término valencia se utiliza para indicar que el potencial (potencial de ionización) requerido pararemover cualquiera de estos electrones de la estructura atómica es significativamente más bajo que el requerido para cualquier otro electrón en la estructura. Este enlace de átomos, reforzado por compartirelectrones, se llama enlace covalente. En un cristal de silicio o germanio puros, los cuatro electrones de valencia de un átomo forman un arreglo de enlace con cuatro átomos adyacentes. El términointrínseco se aplica a cualquier material semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado para reducir el número de impurezas a un nivel muy bajo; en esencia, lo más puro posible que se puedafabricar utilizando tecnología actual. Uno de los avances tecnológicos de las últimas décadas ha sido la capacidad de producir materiales semiconductores de muy alta pureza. Recuerde que éste era uno de losproblemas que se enfrentaron en los inicios de la utilización del silicio, pues era más fácil producir germanio de los niveles de pureza requeridos. Actualmente, los niveles de impureza de 1 parte...