Ensayo De Junturas Lab Remoto
Páginas: 6 (1492 palabras)
Publicado: 25 de febrero de 2013
Ensayos de junturas utilizando el laboratorio remoto
Alumnos:
-Morelli, Nahuel
-Vitelleschi, Joaquin
Diodo Zener(características): Un diodo zéner es básicamente un diodo de unión, pero construido especialmente para trabajar en la zona de ruptura de la tensión de polarización inversa; por eso algunas veces se leconoce con el nombre de diodo de avalancha . Su principal aplicación es como regulador de tensión; es decir, como circuito que mantiene la tensión de salida casi constante, independientemente de las variaciones que se presenten en la línea de entrada o del consumo de corriente de las cargas conectadas en la salida del circuito
Diodo Zener en directa: Se comportará como un diodo normal, existe unvoltaje de corte o umbral, para el cual el valor de la corriente inicia un aumento muy rápido. Por debajo de este valor la corriente es muy pequeña. En este caso, según la gráfica, este valor umbral está aproximadamente a los 0,75 V.
Sabemos que en una juntura p-n sin polarización existe una disminución de las bandas de energía al pasar del lado p al lado n, el portador capaz de saltar labarrera de potencial existente en la juntura se podrán re combinar o no. Si el diodo es polarizado en directa la barrera de potencial disminuye y tanto los huecos como electrones adquieren energía permitiéndoles cruzar la barrera. La corriente de difusión será mayor, aumentara su modulo en comparación con la corriente de arrastre, Se obtiene así una corriente grande de electrones hacia elelectrodo positivo y huecos hacia el negativo. Mediante la obtención del valor de η se puede saber donde se darán las recombinaciones prioritarias
[pic]
| |Tensión (V) |Corriente (mA) |
|1 |0,676 |0,12 |
|2 |0,685 |0,156 |
|3 |0,69|0,189 |
|4 |0,695 |0,225 |
|5 |0,699 |0,257 |
|6 |0,703 |0,293 |
|7 |0,706 |0,326 |
|8 |0,708 |0,358 |
|9|0,714 |0,426 |
|10 |0,73 |0,765 |
|11 |0,741 |1,1 |
|12 |0,753 |1,771 |
|13 |0,766 |2,79 |
|14 |0,777 |4,134|
|15 |0,789 |6,159 |
|16 |0,812 |12,904 |
Diodo zener en inversa: el campo originado por la polarización exterior en inversa va a favor del campo Eo (el que existía sin polarización), esta configuración hace que el ancho de la zona de trabajo(W) aumente, y en consecuenciael modulo del campo aumenta . Por lo tanto la corriente de los portadores mayoritarios disminuye, ya que el aumento del campo dificulta la difusión de los mismos. El desplazamiento de los portadores mayoritarios por difusión se reduce frente al movimiento de los portadores minoritarios por arrastre del campo eléctrico.
En la grafica se puede observar que en un determinado momento se producela ruptura de la juntura y el diodo comienza a conducir por avalancha a una determinada tensión inversa. Se conoce como “ruptura de la juntura” cuando s se produce un empinado cambio en la corriente que circula por el diodo.
El fenómeno de ruptura por efecto túnel ocurre para junturas fuertemente dopadas, a través del mecanismo túnel. Para junturas muy dopadas, las bandas de conducción (BC) y...
Alumnos:
-Morelli, Nahuel
-Vitelleschi, Joaquin
Diodo Zener(características): Un diodo zéner es básicamente un diodo de unión, pero construido especialmente para trabajar en la zona de ruptura de la tensión de polarización inversa; por eso algunas veces se leconoce con el nombre de diodo de avalancha . Su principal aplicación es como regulador de tensión; es decir, como circuito que mantiene la tensión de salida casi constante, independientemente de las variaciones que se presenten en la línea de entrada o del consumo de corriente de las cargas conectadas en la salida del circuito
Diodo Zener en directa: Se comportará como un diodo normal, existe unvoltaje de corte o umbral, para el cual el valor de la corriente inicia un aumento muy rápido. Por debajo de este valor la corriente es muy pequeña. En este caso, según la gráfica, este valor umbral está aproximadamente a los 0,75 V.
Sabemos que en una juntura p-n sin polarización existe una disminución de las bandas de energía al pasar del lado p al lado n, el portador capaz de saltar labarrera de potencial existente en la juntura se podrán re combinar o no. Si el diodo es polarizado en directa la barrera de potencial disminuye y tanto los huecos como electrones adquieren energía permitiéndoles cruzar la barrera. La corriente de difusión será mayor, aumentara su modulo en comparación con la corriente de arrastre, Se obtiene así una corriente grande de electrones hacia elelectrodo positivo y huecos hacia el negativo. Mediante la obtención del valor de η se puede saber donde se darán las recombinaciones prioritarias
[pic]
| |Tensión (V) |Corriente (mA) |
|1 |0,676 |0,12 |
|2 |0,685 |0,156 |
|3 |0,69|0,189 |
|4 |0,695 |0,225 |
|5 |0,699 |0,257 |
|6 |0,703 |0,293 |
|7 |0,706 |0,326 |
|8 |0,708 |0,358 |
|9|0,714 |0,426 |
|10 |0,73 |0,765 |
|11 |0,741 |1,1 |
|12 |0,753 |1,771 |
|13 |0,766 |2,79 |
|14 |0,777 |4,134|
|15 |0,789 |6,159 |
|16 |0,812 |12,904 |
Diodo zener en inversa: el campo originado por la polarización exterior en inversa va a favor del campo Eo (el que existía sin polarización), esta configuración hace que el ancho de la zona de trabajo(W) aumente, y en consecuenciael modulo del campo aumenta . Por lo tanto la corriente de los portadores mayoritarios disminuye, ya que el aumento del campo dificulta la difusión de los mismos. El desplazamiento de los portadores mayoritarios por difusión se reduce frente al movimiento de los portadores minoritarios por arrastre del campo eléctrico.
En la grafica se puede observar que en un determinado momento se producela ruptura de la juntura y el diodo comienza a conducir por avalancha a una determinada tensión inversa. Se conoce como “ruptura de la juntura” cuando s se produce un empinado cambio en la corriente que circula por el diodo.
El fenómeno de ruptura por efecto túnel ocurre para junturas fuertemente dopadas, a través del mecanismo túnel. Para junturas muy dopadas, las bandas de conducción (BC) y...
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