ensayo

Este material impone una restricción importante al no permitir un dopaje mayor al 1,5% de neodimio.
Otros soportes muy utilizados en este tipo de láseres son los vidrios de fosfato y silicato; no obstante, el empleo de vidrio como material de soporte presenta el inconveniente de tener una menor conductividad térmica, con lo cual no pueden obtenerse láseres que operen en modo continuo, ni defrecuencias elevadas. Su principal ventaja es la facilidad de obtención de barras de gran tamaño con una distribución muy regular de iones de neodimio, y una buena calidad óptica a precios razonables. Además permiten concentraciones cuatro o cinco veces mayores de dopaje de neodimio que un cristal de YAC, pudiéndose conseguir así láseres de mayor potencia para un mismo volumen. Los láseres deestado sólido más potentes utilizados en proyectos de fusión nuclear son de hecho de este tipo, con potencias de pico del orden de decenas de terawatios.
Bombeo del medio activo
El bombeo del medio activo es, en todos los casos, óptico, para él se utilizan lámparas de flash muy intensas, lámparas de kriptón de alta preSión (4---6 atmósferas), lámparas de xenón de presión media (0,7--2 atmósferas),lámparas halógenas de tungsteno...
El tamaño típico de una barrita de cristal o vidrio para este tipo de láseres es del orden de 8 mm de diámetro por 80 mm de largo.
La disposición de estos dos elementos debe ser talque permita la mayor eficiencia posible de bombeo, generalmente están colocadas en cavidades elípticas espejadas tal como se vio en el apartado de bombeo óptico y en la figura 15.El rendimiento energético de este tipo de láseres está situado en torno al 2%, y la cavidad que contiene la lámpara de destello y la barrita de medio activo debe ser refrigerada constantemente, puesto que el resto de la energía utilizada para el bombeo del medio se transforma en calor.
Otra técnica de bombeo que recibe especial atención en a actualidad es la que consiste en el aporte deenergía al medio activo por medio de diodos láser de semiconductor GaAs o GaiÁlAs. Este método permite a generación de densidades de potencias de pico del orden de 1 kW/cm2, en unas longitudes de onda que son en el primer caso de 0,88 j.tm y en el segundo de 0,81 pm. La elevada eficiencia de estos láseres, que es del orden del 30%, unida a la posibilidad de un bombeo monocromático en la banda deabsorción del neodimio, centrada alrededor de 0,8 pm, permite la obtención de rendimientos globales del orden del 10%.
La introducción de la radiación de bombeo se efectúa por la parte posterior del medio activo, tal como se ve en a figura 33. En el esquema, 1
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neodimio, pero transparente a una longitud de onda entre 0,8 -a-- 0,9 pm y que porlo tanto permite la entrada del haz láser procedente del semiconductor; 4 corresponde a un tratamiento de multicapa que evita reflexiones en la cara anterior del medio activo; 5 es el espejo semitransparente del resonador y 6 es la fuente de potencia del láser de semiconductor.
El inconveniente principal en este tipo de diseños es el elevado coste de los láseres de semiconductor, en comparacióncon las lámparas de destello, Inconveniente que margina este tipo de bombeo a aquellos casos en que se desea un diseño compacto y un alto rendimiento eléctrico, como en laseres instalados en satélites espaciales.
En ocasiones, los extremos de la barrita que constituye el medio activo, Convenientemente pulidos y tratados, pueden substituir a los propios espejos del resonador. Mediante un métodode multicapas se consigue que uno de sus extremos refleje totalmente la radiación mientras que el Otro lo haga de forma parcial permitiendo la extracción de potencia del resonador. Sin embargo, esta configuración no permite la inserción de dispositivos intracavidad muy interesantes para este tipo de láseres, como Pueden ser los dispositivos de Q-switch, dobladores de frecuencia o simplemente...