ensayo



PRACTICA 3: POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

FORMACIÓN TITULADA

OBJETIVOS

 Medir los efectos de la polarización del transistor.

 Determinar experimentalmente y representarla gráfica de comportamiento.
Comparar con el datasheet del elemento.

 Perfeccionar el montaje de circuitos análogos.




MATERIALES Y EQUIPOS

Protoboard

9 Resistencias de1/2W: 100Ω 750Ω, 910Ω, 1KΩ, 2.2KΩ, 3.3KΩ, 10KΩ, 270KΩ, 470KΩ

Transistor 2N3904 o equivalente. Fuente de Alimentación de 0 a 15V. Multímetro



PROCEDIMIENTO Polarización Fija de Base
1.Conectar el circuito de la figura 1. Medir y calcular los valores solicitados en la tabla 1. (Anexar los valores calculados al informe.)



Figura 1. Polarización Fija de Base


PRACTICO
TEORICOVC


VB


VE


VCE


IC


IB


IE


β


Tabla 1. Valores Medidos y Calculados

Ecuaciones:

IB= (Vcc – 0.7V)/Rb

IC=β*IB

IE es aproximadamente igual a IC

VCE= VCC– IC*RC

VRC = IC*RC

Polarización por Emisor

2. Conectar el circuito de la figura 2. Medir y calcular los valores solicitados en la tabla 2. (Anexar los valores calculados al informe.)Figura 2. Polarización por Emisor


PRACTICO
TEORICO
VC


VB


VE


VCE


IC


IB


IE


β


Tabla 2. Valores Medidos y Calculados




Ecuaciones:

IB= (Vcc –0.7V)/(RB+RE(β+1)) IC=β*IB
IE es aproximadamente igual a IC

VCE= VCC – IC(RC+RE) VB= VE + 0.7V VE= RE*IE
VC= VCE + VE

Polarización por Divisor de Voltaje

3. Conectar el circuito de lafigura 3. Medir y calcular los valores solicitados en la tabla 3. (Anexar los valores calculados al informe.)


Figura 3. Polarización Divisor de Voltaje





PRACTICO
TEORICO
VC


VBVE


VCE


IC


IB


IE


β


Tabla 3. Valores Medidos y Calculados




Ecuaciones:

VBB= (R2*VCC)/(R1+R2) RBB= (R1*R2)/(R1+R2)
IB= (VBB – 0.7V)/(RBB+RE(β+1))

IC=...