ensayooooo electro





República Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Poder Popular Para la Educación Superior
Universidad Nacional Experimental Politécnica Antonio José de Sucre
Vicerrectorado “LuisCaballero Mejías”
Asignatura: Sistemas Electrónicos II











Profesor: Francisco Ledo
Alumnos:






Caracas, Abril 2013


Diseño de la fuente conmutada step-up




DATOS:Vin = 12v
Vo = 24v
Io = 10A
Fr = 1%
f = 100KHz








FORMULAS:






CALCULOS

DEMOSTRACIONES:








Vo = Fr. Vo  Vo = 0.01 x 24 = 0.24v (1.6v)Cálculos del Condensador.





Cálculos de la Bobina.





Cálculos de Rf.



Cálculos de Rt

Ct = 0.001f





















Cálculos deSwitcheo.





Cuando Satura los Transistores internos del Lm3524d toda la corriente se va por ellos hasta tierra, no activando el MOSFET.

El voltaje de saturación es aproximadamente de 1v en elpunto de cuasi saturación.

-15v + VR1 + 1v = 0
VR1= 14v
IR1 = 14v / R1

R1 = 1K  IR1 = 14v / 1K = 14mA.
Cuando cortan los Transistores internos del Lm3524d, pasa la corriente por laR2 produciendo un voltaje en la misma, la cual es igual al VGS del MOSFET, este voltaje activa el MOSFET haciendo que la corriente pase Drain a Source, cargando la bobina L1.

VDS = 24v AproxVGS = 14v
IR2 = 14 mA.
R2 = 1K

MATERIALES UTILIZADOS.
*Power Mosfet
Power MOS Field Effect Transistor
NTE
Type
Number
Description
and
Application
Case
Style
Drain to
Source
BreakdownVoltage
(Volts)
Gate to
Source
Cutoff
Voltage
(Volts)
Gate to
Source
Breakdown
Voltage
(Volts)
Maximum
Continuous
Drain
Current
(Amps)
Static
Drain to
on Source
Resistance
(Ohms)Input
Capacitance
(pf)
Forward
Transfer
Admittance
(S)
Device
Total Power
Dissipation
@TC=25°C
(Watts)



BVDSS
Vgs(Off)
BVGSS
ID
rDS(On)
Ciss
|yfs|
PD
2955
N-CHANNEL...