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Páginas: 10 (2386 palabras) Publicado: 21 de enero de 2012
Diodo ideal
El primer dispositivo electrónico se denomina diodo: es el más sencillo de los dispositivos semiconductores pero desempeña un papel vital en los sistemas electrónicos, con sus características que se asemejan en gran medida a las de un sencillo interruptor. Se encontrara en una amplia gama de aplicaciones, que se extienden desde las simples hasta las sumamente más complejas.
Diodoideal es un dispositivo de dos terminales.
Las características de un diodo ideal son de las de un interruptor que puede conducir corriente en una sola dirección.
El diodo ideal, por consiguiente, es un corto circuito para la región de conducción
El diodo ideal en consecuencia, es un circuito abierto en la región en la que no hay conducción.
En general, es relativamente sencillo determinar siun diodo se encuentra en la región de conducción o en la de no conducción observando tan solo la dirección de la corriente ID establecida por el voltaje aplicado. Para el flujo convencional (opuesto al de los electrones), si la corriente resultante en el diodo tiene la misma dirección que la de la flecha del símbolo de dicho elemento, opera en la región de conducción.
Semiconductores
Laetiqueta semiconductor por si misma proporciona una pista en cuanto a las características de este dispositivo. El prefijo semi se aplica por lo general a una gama de niveles que se encuentren a la mitad entre dos límites.
El término conductor se aplica a cualquier material que soporte un generoso flujo de carga cuando se aplica una fuente de voltaje de magnitud limitada a través de sus terminales.
Unaislante es un material que ofrece un nivel muy pobre de conducción bajo la tensión de una fuente de voltaje aplicada.
Por lo tanto un semiconductor es un material que tiene un nivel de conductividad situado ente los casos extremos de un aislante y un conductor.
Las ventajas asociadas con los sistemas de semiconductores es que son más pequeños y ligeros, no requieren calentamiento ni seproducen perdidas térmicas (lo que si sucede en el caso de los tubos), una construcción más reciente y no necesitan un periodo de calentamiento.
Material de tipo n
≥ | mayor o igual que | x ≥ 1 |
≤ | | |

Se forman agregando un numero de predeterminado de átomos de impureza de impureza al silicio o germanio base. En tipo n se crea añadiendo todos aquellos elementos de impureza que tengan cincoelectrones de valencia (pentavalentes), como antimonio, arsénico y fosforo.

SEMICONDUCTOR TIPO N:
Este tipo de semiconductor trata de emparejar los materiales con respecto a sus cargas y lo realiza con enlace de impurezas a ambos materiales. Por lo tanto, la impureza puede donar cargas con carga negativa al cristal, lo cual nos explica el nombre de tipo N (por negativo).
El materialsemiconductor de tipo N comercial se fabrica añadiendo a un cristal de silicio pequeñas cantidades controladas de una impureza seleccionada. A estas impurezas también se les llama contaminantes, claro así se le llaman a las impurezas que se agregan intencionalmente. Los contaminantes de tipo N mas comunes son el fósforo, arsénico y antimonio. A estos semiconductores se les conoce también como donadores,y como este nombre lo indica estos semiconductores pasas cargas a el material que le hace falta para así poder emparejar este material, y es por eso que se les conoce mayormente como donadores.Material tipo n
Se crea añadiendo todos aquellos elementos de impurezas que tengan cinco electrones de valencia (pentavalentes), como, antimonio, arsénico y fosforo.
Los cuatro enlaces covalentes aún están presentes. Sin embargo, hay un quinto electrón adicional debido a el átomo de impureza, el cual aún no está asociado con algún enlace covalente particular. Este electrón sobrante, unido...
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