Estabilizacion de transistor
Páginas: 3 (681 palabras)
Publicado: 5 de diciembre de 2010
ESTABILIZACIÓN DE LA POLARIZACION
La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de un circuito hacia las variaciones de sus parámetros. En cualquier amplificador que utiliza untransistor, la corriente del colector IC es sensible a cada uno de los siguientes parámetros:
b: se incrementa con el aumento de temperatura.
VBE : decrece aproximadamente 7.5mV por incremento engrados Celsius en la temperatura.
ICO (corriente de saturación inversa): duplica su valor por cada 10°C de incremento en la temperatura.
Cualquiera de estos factores puede causar que el punto depolarización cambie de punto de operación diseñada. La tabla 1 describe la forma en que ICO y VBE cambiaron con el incremento de la temperatura para un transistor en particular.
|T(°C)|ICO(nA) |B |VBE |
|-65 |0.2x10-3 |20|0.85 |
|25 |0.1 |50 |0.65 |
|100 |20|80 |0.48 |
|175 |3.3x103 |120 |0.3|
El efecto de los cambios en la corriente de fuga y la ganancia de corriente sobre el punto de polarización en DC se demuestra por las características de colector para emisor común de lasfiguras 1a y 1b. La figura 1 muestra como cambian las características del colector del transistor desde una temperatura de 25°C a una de 100°C. Obsérvese que el incremento significativo en la corriente defuga no solamente causa que las curvas se eleven sino que también existe un incremento en la beta, según se observa a través del mayor espaciamiento entre las curvas.
Se puede especificar un punto...
La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de un circuito hacia las variaciones de sus parámetros. En cualquier amplificador que utiliza untransistor, la corriente del colector IC es sensible a cada uno de los siguientes parámetros:
b: se incrementa con el aumento de temperatura.
VBE : decrece aproximadamente 7.5mV por incremento engrados Celsius en la temperatura.
ICO (corriente de saturación inversa): duplica su valor por cada 10°C de incremento en la temperatura.
Cualquiera de estos factores puede causar que el punto depolarización cambie de punto de operación diseñada. La tabla 1 describe la forma en que ICO y VBE cambiaron con el incremento de la temperatura para un transistor en particular.
|T(°C)|ICO(nA) |B |VBE |
|-65 |0.2x10-3 |20|0.85 |
|25 |0.1 |50 |0.65 |
|100 |20|80 |0.48 |
|175 |3.3x103 |120 |0.3|
El efecto de los cambios en la corriente de fuga y la ganancia de corriente sobre el punto de polarización en DC se demuestra por las características de colector para emisor común de lasfiguras 1a y 1b. La figura 1 muestra como cambian las características del colector del transistor desde una temperatura de 25°C a una de 100°C. Obsérvese que el incremento significativo en la corriente defuga no solamente causa que las curvas se eleven sino que también existe un incremento en la beta, según se observa a través del mayor espaciamiento entre las curvas.
Se puede especificar un punto...
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