Estanque Inteligente De Alto Rendimiento

Instituto Tecnológico Superior de Chapala

Centro de Estudios Tecnológicos en Aguas Continentales 01 Informe de residencia profesional “Estanque inteligente de alto rendimiento” Ingeniería Electrónica

Residentes: José Antonio Jiménez Aguilar. No. Control: 05030046. 10° semestre, ingeniería electrónica. Rogelio González Góngora. No. Control: 05030043. 10° semestre, ingeniería electrónica.Juaquin Solorio Sánchez. No. Control: 05030054. 10° semestre, ingeniería electrónica.

________________________ Asesor Interno: Ing. Víctor González Villanueva

________________________ Asesor Externo: M en A. Alejandro Navarro Hurtado

Chapala, Jalisco, junio de 2010.

ESTANQUE INTELIGENTE DE ALTO RENDIMIENTO

FIRMAS Y DEDICATORIAS.

ESTANQUE INTELIGENTE DE ALTO RENDIMIENTO

Tabla decontenido
1. 2. 3. INTRODUCCIÓN .................................................................................................... 1 JUSTIFICACIÓN ..................................................................................................... 4 OBJETIVO GENERAL ........................................................................................... 6 3.1. 4. 5. 6. OBJETIVOSESPECÍFICOS ............................................................................ 6

CARACTERIZACIÓN DEL ÁREA EN QUE SE PARTICIPÓ ............................. 7 PROBLEMAS A RESOLVER ............................................................................... 10 ALCANCES Y LIMITACIONES .......................................................................... 11 6.1. 6.2. ALCANCES.................................................................................................... 11 LIMITACIONES ............................................................................................. 11

7.

FUNDAMENTO TEORICO .................................................................................. 13 7.1. PARÁMETROS FÍSICO-QUÍMICOS............................................................ 13 LA TURBIEDAD ..................................................................................... 13 TEMPERATURA..................................................................................... 15 PH ............................................................................................................. 16 OXÍGENO DISUELTO........................................................................... 17

7.1.1. 7.1.2. 7.1.3. 7.1.4. 7.2.

COMPONENTES PRINCIPALES.................................................................. 18 FOTORRESISTENCIA. .......................................................................... 18 DIODO LED. ........................................................................................... 18 PIC 18F452............................................................................................... 20 PIC 16F627A. ........................................................................................... 21 ELECTRODO PARA PH......................................................................... 21 ELECTRODO PARA O2. ........................................................................ 22 DISPLAY GRÁFICO JHD-63512864..................................................... 22 TECLADO NUMÉRICO. ........................................................................ 23 ELECTROVÁLVULA. ............................................................................ 23

7.2.1. 7.2.2. 7.2.3. 7.2.4. 7.2.5. 7.2.6. 7.2.7. 7.2.8. 7.2.9. 8.

PROCEDIMIENTO Y DESCRIPCION DE ACTIVIDADES .............................. 25 8.1.ELABORACIÓN DEL SENSOR DE TURBIDEZ......................................... 25 Materiales ................................................................................................. 26 Procedimiento ........................................................................................... 26

8.1.1. 8.1.2. 8.2.

ELABORACIÓN DEL SENSOR DE TEMPERATURA. .............................. 30...