estaño

Revista CIATEC – UPF, vol.1 (1), p.p.59-65, 2009

PREPARACIÓN DE PELÍCULAS DE ÓXIDOS DE ESTAÑO
COMO SENSORES DE GASES
PREPARATION OF TIN OXIDES FILMS AS GAS SENSORS
Manuel Chacón1, Ildeman Abrego2, Amanda Watson2 e Eleicer Ching2
1
Escuela de Física, Facultad de Ciencias Naturales, Exactas y Tecnología.
Universidad de Panamá. ildeman.abrego@utp.ac.pa
2
Departamento de CienciasNaturales, Facultad de Ciencias y Tecnología.
Universidad Tecnológica de Panamá

RESUMEN
Se obtuvieron películas delgadas de Óxido de Estaño (SnO 2) por el método de química líquida a partir de una
solución precursora de Cloruro de Estaño IV (SnCl4). Las muestras fueron depositadas sobre sustrato de vidrio
utilizando un porcentaje de dilución de 60 % de la solución precursora sinterizadas adiferentes temperaturas.
Las superficies de las películas fueron caracterizadas morfológicamente mediante Microscopía Electrónica de
Barrido (MEB) y se describen los tamaños de granos, la presencia de fisuras (cracking) y homogeneidades
entres otras cosas. Además, se estudió la capacidad sensora de las muestras a través de las medidas de
resistencia eléctrica en función del tiempo para diferentesvolúmenes de vapor de agua.
Palabras claves: óxido de estaño, películas, sensores de gas.

ABSTRACT
Thin films of tin oxides (SnO2) were obtained by using the liquid chemical method from a precursor solution of
tin IV chloride (SnCl4). The samples were deposited on a glass substrate using the precursor solution (60%
dilution) and sinterized at different temperatures. The surface of the filmswere characterized morphologically
by scanning electron microscopy (SEM), from which the grain sizes distribution, the presence of cracks
(cracking) and homogeneity, among other aspects, were evaluated. In addition, the sensor capability of the
samples was investigated through the measuring of electrical resistance as a function of time for different
volumes of water vapor.
Keywords: films,tin oxide, gas sensor

1. INTRODUCCIÓN
En la actualidad la tecnología crece con extremada rapidez, debido, en gran parte, a los
avances en la Ciencia de los Materiales; ya que esta ha dado lugar a un gran número de aplicaciones y
al desarrollo de nuevas técnicas que permiten mejorar los procesos de fabricación de materiales y de
dispositivos que dan solución a los requerimientos de lasociedad que cada vez son más complejos.
Unos de estos dispositivos tecnológicos de sumo interés son los sensores de gases basados en óxidos
semiconductores los cuales presentan un cambio en la resistencia eléctrica cuando son expuestos a
ciertas atmósferas gaseosas. Unos de los materiales de mayor importancia en la actualidad es el óxido
de estaño, motivo de esta investigación (Ponce, 2003;Olvera, 1999). El óxido de estaño puro es un
semiconductor tipo n debido a la presencia de vacantes de oxígeno, que actúan como donantes de
doi: 10.5335/ciatec.v1i1.614

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electrones. Por lo que se refiere a su sensibilidad química, ésta puede considerarse debida a dos partes:
la función receptora, que reconoce o identifica una sustanciaquímica y la función transductora, que
traduce la señal química en una señal de salida. Mientras la primera parte se da en la superficie de
cada partícula semiconductora, la microestructura total del elemento sensor influye en la segunda.
Este trabajo consiste en estudiar películas de óxido de estaño preparadas a partir de precursores
inorgánicos. La caracterización de las muestras se realizó através de Microscopia Electrónica de
Barrido (MEB) y medidas de resistencia eléctrica. El objetivo fue de fabricar películas de Óxido de
Estaño a través de un proceso de química líquida (Montenegro, 2007; Hernandez, 2008) y observamos
su respuesta eléctrica cuando se ponía en contacto su superficie con vapor de agua.

2. MATERIALES Y MÉTODOS
Las Películas de Óxido de Estaño (SnO2) fueron...