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Páginas: 26 (6419 palabras) Publicado: 17 de mayo de 2011
INTRODUCCIÓN
El siguiente trabajo me permitió analizar comprender y destacar las principales funciones las características de un Diodo, componente electrónico que permite el paso de la corriente en un solo sentido. Los diodos más empleados en los circuitos electrónicos actuales son los diodos fabricados con material semiconductor. El transistor que es un dispositivo electrónico semiconductor quecumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador y un El tiristor es un componente electrónico constituido por elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una conmutación .logrando así el reconocimiento de estos en el área de trabajó eléctrica

DIODOS
Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de lacorriente eléctrica a través de él en un único sentido; en el sentido contrario no lo permite. Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad; consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos. El diodo de vacío (que actualmente ya no se usa, excepto para tecnologías de alta potencia) es un tubo de vacío con doselectrodos: una lámina como ánodo, y un cátodo.

Para resolver problemas referentes a los diodos se utilizan en la actualidad tres aproximaciones:
* La primera aproximación es la del diodo ideal, en la que se considera que el diodo no tiene caída de tensión cuando conduce en sentido positivo, por lo que esta primera aproximación consideraría que el diodo es un cortocircuito en sentidopositivo. En cambio, el diodo ideal se comporta como un circuito abierto cuando su polarización es inversa.
* En la segunda aproximación, consideramos que el diodo tiene una caída de tensión cuando conduce en polarización directa. Esta caída de tensión se ha fijado en 0.7 V para el diodo de silicio, lo que hace que la segunda aproximación pueda representarse como un interruptor en serie con unafuente de 0.7 V.
* La tercera aproximación aproxima más la curva del diodo a la real, que es una curva, no una recta, y en ella colocaríamos una resistencia en serie con la fuente de 0.7 V.

TIPOS DE DIODOS
DIODO DE USO COMUN
El diodo semiconductor se forma uniendo los materiales tipo N y tipo P, los cuales deben estar construidos a partir del mismo material base, el cual puede ser Ge o Si.En el momento en que dos materiales son unidos (uno tipo N y el otro tipo P), los electrones y los huecos que están en, o cerca de, la región de "unión", se combinan y esto da como resultado una carencia de portadores (tanto como mayoritarios como minoritarios) en la región cercana a la unión. Esta región de iones negativos y positivos descubiertos recibe el nombre de Región de Agotamiento por laausencia de portadores.

Existen tres posibilidades al aplicar un voltaje a través de las terminales del diodo:
* No hay polarización (Vd = 0 V)
* Polarización directa (Vd > 0 V).
* Polarización inversa (Vd < 0 V).
Vd = 0 V. En condiciones sin polarización, los portadores minoritarios (huecos) en el material tipo N que se encuentran dentro de la región de agotamiento pasarándirectamente al material tipo P y viceversa. En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de carga (corriente) en cualquier dirección es cero para un diodo semiconductor.

La aplicación de un voltaje positivo "presionará" a los electrones en el material tipo N y a los huecos en el material tipo P para recombinar con los iones de la frontera y reducir la anchura de la región deagotamiento hasta desaparecerla cuando VD ³ 0.7 V para diodos de Silicio.
Id = I mayoritarios - Is
Condición de Polarización Inversa (Vd < 0 V). Bajo esta condición el número de iones positivos descubiertos en la región de agotamiento del material tipo N aumentará debido al mayor número de electrones libres arrastrados hacia el potencial positivo del voltaje aplicado. El número de iones...
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