Estudiante
Páginas: 2 (445 palabras)
Publicado: 1 de agosto de 2012
EL MOFEST DE ENRIQUECIMIENTO
Aunque el mosfet de empobrecimiento es muy útil en situaciones especiales, no tiene un uso muy extenso por razones que se explicaran en el siguiente capitulo. Desempeñoen papel muy importante en la historia debido a que fue parte de la evolución hacia el mosfet de enriquecimiento (también llamado mosfet de acumulación), un dispositivo que ha revolucionado laindustria de la electrónica. Este segundo tipo de mosfet ha tenido una importancia enorme en la electrónica digital y en las computadoras. Sin el no existirían computadores personales, que en la actualidadtienen un uso muy extendido.
LA IDEA BASICA
En la figura 13-17ª se muestra un mosfet de enriquecimiento de canal n. el sustrato se extiende a lo ancho hasta el dióxido de silicio. Como se puedever, ya no existe un canal n entre la fuente y el drenador. ¿Cómo funciona? La figura 13-17b muestra las tensiones de polarización normales. Cuando la tensión de puerta es nula, la alimentación tratade hacer circular a los electrones libres desde la fuente hacia el drenador, pero el sustrato p solo tiene unos cuantos electrones libres producidos térmicamente. Aparte de estos portadoresminoritarios y de alguna fuga superficial, la corriente entre la fuente y el drenador se nula.
Por esta razón, el mosfet de enriquecimiento esta normalmente en corte cuando la tensión de puerta es cero.Este dato es completamente diferente en los dispositivos de empobrecimiento como el jeft o el mosfet de empobrecimiento.
Cuando la puerta es suficientemente positiva, atrae electrones libres dentro dela region p. los electrones libres se recombinan con los huecos cercano al dióxido de silicio. Cuando la tensión de la puerta es lo suficientemente positiva, todos los huecos próximos al dióxido desilicio desaparecen y los electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador. El efecto es idéntico al de crear una capa delgada de material tipo n próxima al dióxido de silicio....
Aunque el mosfet de empobrecimiento es muy útil en situaciones especiales, no tiene un uso muy extenso por razones que se explicaran en el siguiente capitulo. Desempeñoen papel muy importante en la historia debido a que fue parte de la evolución hacia el mosfet de enriquecimiento (también llamado mosfet de acumulación), un dispositivo que ha revolucionado laindustria de la electrónica. Este segundo tipo de mosfet ha tenido una importancia enorme en la electrónica digital y en las computadoras. Sin el no existirían computadores personales, que en la actualidadtienen un uso muy extendido.
LA IDEA BASICA
En la figura 13-17ª se muestra un mosfet de enriquecimiento de canal n. el sustrato se extiende a lo ancho hasta el dióxido de silicio. Como se puedever, ya no existe un canal n entre la fuente y el drenador. ¿Cómo funciona? La figura 13-17b muestra las tensiones de polarización normales. Cuando la tensión de puerta es nula, la alimentación tratade hacer circular a los electrones libres desde la fuente hacia el drenador, pero el sustrato p solo tiene unos cuantos electrones libres producidos térmicamente. Aparte de estos portadoresminoritarios y de alguna fuga superficial, la corriente entre la fuente y el drenador se nula.
Por esta razón, el mosfet de enriquecimiento esta normalmente en corte cuando la tensión de puerta es cero.Este dato es completamente diferente en los dispositivos de empobrecimiento como el jeft o el mosfet de empobrecimiento.
Cuando la puerta es suficientemente positiva, atrae electrones libres dentro dela region p. los electrones libres se recombinan con los huecos cercano al dióxido de silicio. Cuando la tensión de la puerta es lo suficientemente positiva, todos los huecos próximos al dióxido desilicio desaparecen y los electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador. El efecto es idéntico al de crear una capa delgada de material tipo n próxima al dióxido de silicio....
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