estudiante

1.- Cuantos electrones de valencia aporta cada átomo de silicio para formar enlaces covalentes? ¿Cuantos electrones de valencia hay en cada cm3 de silicio?



2.- Porque un electrónde valencia no es un portador de corriente?


3.- Un electrón de valencia en un cristal de silicio captura un quantum de energía de 2 eV. ¿Cuánta energía habrá de ceder a la redcristalina a través de colisiones después de cierto tiempo? Dato: Eg del silicio 1,1 eV.

Ec (Banda de conducción)-Eg (Banda Prohibida) la energía para que el electrón pase a la banda deconducción, porlo tanto 2eV – 1.1eV = 0.9 eV de energía.

4.- Defina que es un semiconductor extrínseca tipo N
Están dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P,Sb). Que sean elementospentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en la última capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrón quede fuera de ningúnenlace covalente, quedándose en un nivelsuperior al de los otros cuatro. Como consecuencia de la temperatura, además de la formación de los pares e-h, se liberan los electrones que no sehan unido

5.- Defina que es un semiconductor extrínseco tipo P


6.- Cuanto sería la concentración intrínseca de un semiconductor como el silicio pero que tenga una Eg = 0.8 eV envez de Eg = 1,1 eV









7. Determine si el diodo esta en conducción o no. Considere un diodo ideal









NOTA:
Si tiene dificultad en la resolución puedeguiarse del video: http://www.youtube.com/watch?v=cyIMv-207T4
8. Determine si los diodos D1 y D2 se encuentran en estado de conducción. Considere diodos de silicio.9. Determine el valor de Vs mínimo para que el diodo de la siguiente figura se encuentre en conducción. Considere un diodo de Germanio, R1 = 5Ω, R2 = 4Ω, VB = 10V.