Estudiante

Practica N° 5
Circuitos con diodos
Laboratorio de analógica 1
Darío Xavier Gómez Bravo
Cuenca-Ecuador
e-mail: dgomezb@est.ups.edu.ec

RESUMEN: En este informe daremos a conocer circuitos con diodos con diferentes configuraciones, se calculara y medirá los voltajes tanto de entrada como de salida, y se obtendrá la curva característica del diodo, para esto se trabajara tanto en corrientecontinua como alterna.

1. INTRODUCCION

En esta práctica se armaran seis circuitos con diodos en diferentes configuraciones.
Para llevar a cabo esta práctica se tiene tener en claro los conceptos sobre semiconductores.

Mediante la realización de los circuitos obtendremos la curva característica del diodo con el osciloscopio.

Se va a imponer las resistencias de cada uno de loscircuitos que intervienen en la práctica, se tomara imágenes y datos del osciloscopio.
Además se realizara un graficas en Excel de los valores obtenidos.

2.1 OBJETIVOS:

* Obtener la curva característica del diodo en el osciloscopio
* Verificar el funcionamiento y obtener distintas mediciones de voltaje y corriente de los circuitos con diodos.

2. MARCO TEORICO3.2 SEMICONDUCTORES:
El semiconductor más utilizado es el silicio porque es un material más estable que el germanio. Tanto el silicio como el germanio son materiales tetravalentes, poseen 4 electrones en su última capa u órbita.
Los Semiconductores puros son llamados intrínsecos.
Los Semiconductores intrínsecos pueden ser “contaminados” con impurezas en mínimas proporciones, una partícula pormillón, este proceso se llama dopaje.
* Tipo N
* Tipo P
3.3.1 Semiconductores tipo N
Se llaman tipo N porque tiene mayor cantidad de electrones.
Para obtener este tipo de silicio se mezcla al silicio con un material pentavalente (impureza); en el elemento que se producen los enlaces sobre un electrón.
* Arsénico
* Antimonio Familia IVA
* Fósforo.
3.3.2Semiconductores tipo P
Tienen este nombre debido a que poseen mayor cantidad de lagunas
Para obtener este tipo de silicio se mezcla al silicio con un material trivalente
Materiales Usados
* Arsénico
* Antimonio Familia VA
* Fósforo.

3.3 DIODO
En el instante de la unión de los dos materiales se produce un intercambio de electrones entre los dos tipos, del tipo N al tipo P yviceversa de lagunas, del material tipo P al tipo N; creándose al centro una zona neutra, característica de los semiconductores, llamada BARRERA DE POTENCIAL.
2.2.1 Diodo – Polarización Directa
Polarizando el diodo como en la gráfica, se logra que los electrones salten de N a P (polos del mismo nombre se repelen y polos de diferente nombre se atraen).
Movimiento de Electrones - circulación decorriente.
2.2.2 Diodo – Polarización Inversa
No se repelen los electrones, sino más bien son atraídos hacia los extremos del semiconductor haciendo que aumente la barrera de potencial y sea más difícil el salto de los electrones del silicio N al P; por lo que no existe circulación de la corriente.
Mayor Voltaje, Mayor Barrera de Potencial
2.2.3 Diodo – Efecto Avalancha
Si seguimos aumentandoel voltaje llegará un momento en el que los electrones tengan la suficiente energía para saltar la barrera de potencial, a pesar de que esta sea grande, pero dado que el voltaje es elevado la circulación de corriente también será elevada provocando la destrucción del semiconductor.
2.2.4 Curva Característica
En polarización directa, se comporta el diodo como conductor y circulará una corriente.Pero si se cambia la polarización se comporta el diodo como un aislante circulando una intensidad despreciable.

La Is o corriente de fuga para el Si es de 1nA y para el de Ge es de 10nA.

Imagen 1

La Ecuación de la Curva Característica es:
ID=IS(ek∙VDTK-1)
Donde ID = Corriente del diodo
Donde Is = Corriente de saturación
Donde VD = Voltaje del diodo
Donde Tk=
Temperatura...