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NUEVAS TECNOLOGÍAS DE FABRICACIÓN DE TRANSISTORES

INTRODUCCION

Transistor. Dispositivo electrónico, en 1948, tres investigadores de los Laboratorios Bell, de Estados Unidos, no satisfechos con los buenos resultados de la unión de dos pastillas P y N de material semiconductor, juntaron tres bloquesitos de este material y lo colocaron uno encima del otro a manera de sandwich o emparedado. Coneste curso podrás aprender todo lo referente a los transistores, la tecnología de construcción, los tipos de transitores y muchas otras cuestiones que te serán de gran ayuda.
La invención del transistor constituye una de las innovaciones radicales más importantes del siglo XX, no sólo en sí misma sino porque es el punto de partida de toda una cadena de innovaciones posteriores que dan lugar alos circuitos integrados y a los microprocesadores, y a otros dispositivos que configuran todo el desarrollo de la tecnología microelectrónica cuyo impacto en cantidad enorme de aplicaciones civiles y militares ha sido extraordinaria y, sin duda, necesaria para que otras grandes innovaciones más recientes como la telefonía móvil e internet hayan sido posibles.
No se trata aquí y ahora de hacer unahistoria de esta "revolución en miniatura" como se denomina en el libro de Ernest Braun y Stuart MacDonald. Hay libros y tratados donde esto se estudia con detenimiento. Ahora se trata solamente de analizar hasta qué punto esta innovación fue fruto de una necesidad expresada por las Fuerzas Armadas o cómo contribuyó a su desarrollo, una vez realizada la innovación, por el tirón de la demanda delos ejército.
En primer lugar, debemos destacar que el transistor es una innovación basada directamente en la ciencia, más concretamente en la 'Física del Estado Sólido' que ya desde principios del siglo XX había recibido mucha atención por parte de numerosos científicos europeos de sobra conocidos, que fueron sentando las bases de lo que luego daría lugar a las más conocidas aplicaciones de laenergía nuclear y de la bomba atómica.
Pero también en las décadas de 1920 y 1930 se estudiaron los movimientos de los electrones en cristales semiconductores, los detectores de 'contacto de puntas' (cat-whiskers) y se llegaron a describir en publicaciones científicas algunos comportamientos de cristales que se parecían a lo que más tarde sería el primitivo transistor.
Pero, como decía R.W. Polh,quien, junto con R. Hilsch, publicó un artículo en 1938 en el que describían un cristal semiconductor cuyo funcionamiento era análogo al tríodo de vacío: "No teníamos en mente ninguna aspiración práctica... o se trabajaba en una Universidad o se mete uno de lleno en los dispositivos técnicos". Era el conocimiento de los materiales lo que guiaba a los científicos.
Por otro lado, en los añosprevios a la Segunda Guerra Mundial y durante la misma la ciencia había llegado en auxilio de la ingeniería tradicional y había demostrado el éxito de las innovaciones basadas en la misma, particularmente en el sector de la Defensa, como lo prueban la bomba atómica, el radar y la investigación de operaciones.
El transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bell de EE. UU. en diciembre de 1947por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos, o triodo. El transistor de efecto de campo fue descubierto antes que el transistor (1930), pero no se encontró una aplicación útil ni se disponía de la tecnología necesaria para fabricarlosmasivamente. Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET).
En los últimos, la corriente entre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el canal. Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor). Los MOSFET permitieron un diseño...