Estudio De Fotoconductividad En Agin5Te8
Páginas: 37 (9122 palabras)
Publicado: 10 de octubre de 2011
“ESTUDIO DE FOTOCONDUCTIVIDAD EN AgIn5Te8”
Tutor Co-Tutora
Prof. Elvis Hernández Dr. Flor Virginia Peréz
C.I.: 9.928.250 C.I.: 7.725.494elvis-hernandez@cantv.net virginia225@yahoo.com
Autor:
Daniel Jose Arconada Torres
C.I.: 12.040.134
REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
LA UNIVERSIDAD DEL ZULIA
FACULTAD EXPERIMENTAL DE CIENCIAS
DIVISIÓN DE ESTUDIOS BÁSICOS SECTORIALES
DEPARTAMENTO DE FÍSICA
ESTUDIO DE FOTOCONDUCTIVIDAD EN AgIn5Te8
Trabajo Especial de Grado presentadopara optar al titulo de Licenciado en Física.
Br. Daniel J. Arconada T.
Tutor: Lic. Elvis Hernández
Co-Tutora: Dra. Flor Virginia Pérez
DEDICATORIA
A mi padre Julio Jesús Arconada Rodríguez y a mi madre Gladys Teresa Torres Ocando los amo mucho.
AGRADECIMIENTO
Al profesor Elvis Hernandez Polanco y a su esposa Maria Contreras.
A mis compañeros siempre verdaderos amigos dellaboratorio de caracterización de materiales, todas las Marias, Maria Elena, Mery, Marisol, Maribel y mis ultra panas mejor dicho hermanos Fidel, Alejandro, George y Luis (Fotongo) y todos los que siempre formaron parte del grupo Julio, Anderson, Nomar Daipedrina luego Dayana y los nuevos , gracias a todos .
RESUMEN
Daniel José, Arconada Torres. “ESTUDIO DE FOTOCONDUCTIVIDAD EN AgIn5Te8”.Universidad del Zulia. Facultad Exp. de Ciencias. Dpto. de Física. Trabajo Especial de Grado. Marzo 2007. Tutor: Lic. Elvis Hernández.
En éste trabajo se presentan las medidas del espectro de fotoconductividad a 77 K de una muestra cristalina tipo n de AgIn5Te8 en el rango de energías hv de 0.7eV a 3.0eV , a partir de la cual se estimaron la velocidad de recombinación superficial, S0 en 25000cm/seg, la longitud de difusión de portadores minoritarios LD en 0,8 μm y el tiempo de vida volumétrico de portadores τ en 6,2x10-7seg/cm3. Además se midieron las curvas de relajación temporal del material fotoexitado en función de las temperaturas 77k y 300K. Se encontró que los mecanismos de conducción eléctrica de portadores que gobiernan el material son explicados con el modelo de atrapamientofuerte, donde los portadores son atrapados y expulsados varias veces de las trampas antes de recombinarse en las mismas.
Se concluyo que el incremento en la fotoconductividad de el compuesto semiconductor ternario AgIn5Te8. se debe a la activación de una gran cantidad de trampas en niveles profundos. La brecha de energía se estimó en1.13 eV y se encuentra dentro del rango óptimo para lafabricación de celdas solares y otros dispositivos optoeléctricos.
Es necesario profundizar el estudio de este nuevo compuesto para definir la gama de posibles aplicaciones y las ventajas comparativas que pueda tener este semiconductor con respecto a los semiconductores tradicionales.
CONTENIDO
DEDICATORIA iii
AGRADECIMIENTO iv
CONTENIDO vi
INDICE DE FIGURAS vii
Figura 1 Clasificación de lossemiconductores xi
CAPÍTULO 1 xiv
DETALLES EXPERIMENTALES xiv
xiv
1.0. Determinación de tipo de conductividad xv
1.1. Elaboración de contactos eléctricos y circuito de medida. xvi
CAPÍTULO 2 xxi
RESULTADOS EXPERIMENTALES xxi
2.0 – CARACTERISTICA CORRIENTE VOLTAJE DEL AgIn5Te8. xxii
Figura 5 Característica corriente voltaje del AgIn5Te8. iluminada y obscura. xxiii
2.1 –FOTOCONDUCTIVIDAD DEL AgIn5Te8 A DISTINTAS VELOCIDADES. xxiv
Figura 6 Medidas de la fotoconductividad del AgIn5Te8. a 77 K y a distintas velocidades en el recorrido del espectro. xxv
2.2 - ABSORCIÓN POR PORTADORES LIBRES E IMPUREZAS IONIZADAS. xxvi
Figura 7. Caída de la fotoconductividad del AgIn5Te8. por los distintos modos de scattering y sus pendientes características log σ vs log λ. xxvii
2.3 –...
Tutor Co-Tutora
Prof. Elvis Hernández Dr. Flor Virginia Peréz
C.I.: 9.928.250 C.I.: 7.725.494elvis-hernandez@cantv.net virginia225@yahoo.com
Autor:
Daniel Jose Arconada Torres
C.I.: 12.040.134
REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
LA UNIVERSIDAD DEL ZULIA
FACULTAD EXPERIMENTAL DE CIENCIAS
DIVISIÓN DE ESTUDIOS BÁSICOS SECTORIALES
DEPARTAMENTO DE FÍSICA
ESTUDIO DE FOTOCONDUCTIVIDAD EN AgIn5Te8
Trabajo Especial de Grado presentadopara optar al titulo de Licenciado en Física.
Br. Daniel J. Arconada T.
Tutor: Lic. Elvis Hernández
Co-Tutora: Dra. Flor Virginia Pérez
DEDICATORIA
A mi padre Julio Jesús Arconada Rodríguez y a mi madre Gladys Teresa Torres Ocando los amo mucho.
AGRADECIMIENTO
Al profesor Elvis Hernandez Polanco y a su esposa Maria Contreras.
A mis compañeros siempre verdaderos amigos dellaboratorio de caracterización de materiales, todas las Marias, Maria Elena, Mery, Marisol, Maribel y mis ultra panas mejor dicho hermanos Fidel, Alejandro, George y Luis (Fotongo) y todos los que siempre formaron parte del grupo Julio, Anderson, Nomar Daipedrina luego Dayana y los nuevos , gracias a todos .
RESUMEN
Daniel José, Arconada Torres. “ESTUDIO DE FOTOCONDUCTIVIDAD EN AgIn5Te8”.Universidad del Zulia. Facultad Exp. de Ciencias. Dpto. de Física. Trabajo Especial de Grado. Marzo 2007. Tutor: Lic. Elvis Hernández.
En éste trabajo se presentan las medidas del espectro de fotoconductividad a 77 K de una muestra cristalina tipo n de AgIn5Te8 en el rango de energías hv de 0.7eV a 3.0eV , a partir de la cual se estimaron la velocidad de recombinación superficial, S0 en 25000cm/seg, la longitud de difusión de portadores minoritarios LD en 0,8 μm y el tiempo de vida volumétrico de portadores τ en 6,2x10-7seg/cm3. Además se midieron las curvas de relajación temporal del material fotoexitado en función de las temperaturas 77k y 300K. Se encontró que los mecanismos de conducción eléctrica de portadores que gobiernan el material son explicados con el modelo de atrapamientofuerte, donde los portadores son atrapados y expulsados varias veces de las trampas antes de recombinarse en las mismas.
Se concluyo que el incremento en la fotoconductividad de el compuesto semiconductor ternario AgIn5Te8. se debe a la activación de una gran cantidad de trampas en niveles profundos. La brecha de energía se estimó en1.13 eV y se encuentra dentro del rango óptimo para lafabricación de celdas solares y otros dispositivos optoeléctricos.
Es necesario profundizar el estudio de este nuevo compuesto para definir la gama de posibles aplicaciones y las ventajas comparativas que pueda tener este semiconductor con respecto a los semiconductores tradicionales.
CONTENIDO
DEDICATORIA iii
AGRADECIMIENTO iv
CONTENIDO vi
INDICE DE FIGURAS vii
Figura 1 Clasificación de lossemiconductores xi
CAPÍTULO 1 xiv
DETALLES EXPERIMENTALES xiv
xiv
1.0. Determinación de tipo de conductividad xv
1.1. Elaboración de contactos eléctricos y circuito de medida. xvi
CAPÍTULO 2 xxi
RESULTADOS EXPERIMENTALES xxi
2.0 – CARACTERISTICA CORRIENTE VOLTAJE DEL AgIn5Te8. xxii
Figura 5 Característica corriente voltaje del AgIn5Te8. iluminada y obscura. xxiii
2.1 –FOTOCONDUCTIVIDAD DEL AgIn5Te8 A DISTINTAS VELOCIDADES. xxiv
Figura 6 Medidas de la fotoconductividad del AgIn5Te8. a 77 K y a distintas velocidades en el recorrido del espectro. xxv
2.2 - ABSORCIÓN POR PORTADORES LIBRES E IMPUREZAS IONIZADAS. xxvi
Figura 7. Caída de la fotoconductividad del AgIn5Te8. por los distintos modos de scattering y sus pendientes características log σ vs log λ. xxvii
2.3 –...
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