estudio del transistor fet




Valoración


Laboratorio Nº 2


Estudio Del Transistor Fet


Electrónica Básica II

Carola Heredia
Gabriel Vargas
Nadia Gonzales

Docente: Ing. Crespo

Cochabamba 20 deseptiembre del 2011

Gestión I – 2013



FACULTAD DE TECNOLOGIA
COCHABAMBA


Estudio Del Transistor Fet


INFORME - Nº 2



MATERIA: Electrónica Básica II
DOCENTE:
GRUPO: A

INTEGRANTES:












COCHABAMBA – BOLIVIA





ESTUDIO DEL TRANSISTOR FET
1. INTRODUCCION.-
Eltransistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
2. OBJETIVO.-

Calcular el valor de Gm en forma experimental y entender el concepto de latransconductancia.

Diseñar amplificadores utilizando transistores FET.

3.-MARCO TEORICO.-
La mayoria de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre unsustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT es como pantallas de cristal líquido o LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source).La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT,donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también dedos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.
4. MATERIALES Y EQUIPO.
4.1.- 1 Fuente dealimentación DC doble

4. 2 .-1 Osciloscopio digital

4. 3 .-1 Generador de señales

4.4.- 1 Multímetro

4.5.- 1Breadboard




4. 6.- 1 Transistor FER canal N


4.7 .- resistencias

4.8 .-Cables de fuente


4.9 .-Cables

4.10 .-Alicate de cortes


5. PROCEDIMIENTO.-

Experiencia 1:
Determinar la Transconductancia gm para el JFET NTE312 en fuente común. Luego dibuje elmodelo incremental para pequeñas señales con los valores obtenidos de los cálculos.
Procedimientos:
Colocar, VG = VS = 0. Colocar una fuente de voltaje variable (con valor inicial VDD=0) entre Drenador y Fuente.
1. Incrementar el voltaje VDD realizando mediciones simultáneas de IDSS. Observar que para cada incremento de VDS, existe un aumento de Corriente ID, esto ocurre hasta que el...