Examen C

FACULTAD DE INFORMÁTICA
E. T. S. DE INFORMATICA APLICADA
FUNDAMENTOS FÍSICOS DE LA INFORMÁTICA
2º PARCIAL ALUMNOS PLAN 1996
TEORÍA
16 de Enero de 2003

1.

Dibuja las curvas que representan la evolución
de la conductividad con la temperatura en un
semiconductor
intrínseco
y
en
un
semiconductor extrínseco, y explica claramente
las causas de las diferencias existentes entre
ambas.Dibuixa les corbes que representen l’evolució
de la conductivitat amb la temperatura en un
semiconductor intrínsec i en un semiconductor
extrínsec, i explica clarament les causes de les
diferències existents entre ambdós.

En un semiconductor intrínseco al aumentar la temperatura T aumenta la
conductividad σ debido a que se liberan más pares electrón-hueco,
aumentando la concentraciónintrínseca de portadores. En la gráfica esta
variación se muestra con la gráfica de semiconductor intrínseco o puro.
En el caso de un semiconductor
extrínseco, la situación es
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σ
distinta por la presencia de
impurezas. El comportamiento
se muestra en la gráfica y se
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1
pueden apreciar tres zonas:
semiconductor extrínseco
1. A temperaturas muy
bajas, próximas a 0 K, lossemiconductor intrínseco
átomos de impurezas ya se
encuentran ionizados por tener
una energía de ionización muy
T
baja; por lo tanto, tendremos
una concentración de portadores significativa que posibilitan la conducción,
incluso a temperaturas bajísimas. De este modo la curva sube muy
rápidamente.
2. Al aumentar la temperatura, la conductividad no aumenta de modo
sensible, pues ya se han ionizadotodas las impurezas, y aunque aumentemos
más la temperatura, la concentración de éstas no puede aumentar más. Los
pares electrón – hueco generados térmicamente son cuantitativamente
insignificantes si la temperatura no es excesiva.
3. Si la temperatura alcanza valores más altos, los pares electrón –
hueco generados térmicamente empiezan a ser lo suficientemente
significativos como para que sunúmero sea comparable o mayor a los que
teníamos procedentes de las impurezas. De este modo, la conductividad, que
se había mantenido estable, vuelve a aumentar, ahora como consecuencia de
los pares electrón – hueco generados térmicamente. Por lo tanto, a
temperaturas muy altas, el comportamiento del semiconductor dopado y el puro
tienden a confundirse.

Dibuja la curva característicatensiónintensidad de un diodo rectificador e indica con
claridad como calcularías los parámetros del
diodo: tensión umbral y resistencia interna.

2.

Dibuixa la corba característica tensió-intensitat
d’un diode rectificador i assenyala amb
claredat com calcularies els paràmetres del
diode: tensió llindar i resistència interna.

La curva característica tensión corriente
de un diodorectificador para tensiones
negativas (polarización inversa) la
corriente en el diodo es muy pequeña,
del orden de microamperios y para
tensiones positivas (polarización directa)
la
intensidad
crece
de
forma
exponencial y luego tiende a ser lineal.

I

I0 (µA)

V

I

Vumbral

V

Para hallar la tensión umbral Vu y la resistencia
interna r del diodo a partir de la gráfica, talcomo se
muestra en la figura, se traza una línea tangente a la
curva exponencial, la inversa de la pendiente de la
recta, es decir, ∆V/∆I = r y donde corta al eje de la V
es Vu.

A partir de la ley de Biot y Savart, determina la
dirección y sentido del campo magnético
creado por un conductor rectilíneo e indefinido
recorrido por una corriente, en un punto situado
a una distancia d delconductor, justificando la

3.

A partir de la llei de Biot i Savart, determina la
direcció i sentit del camp magnètic creat per un
conductor rectilini i indefinit recorregut per un
corrent, en un punt situat a una distancia d del
conductor, justificant la resposta.

respuesta.

La ley de Biot y Savart permite determinar el campo magnético dB creado por
un elemento de corriente de un...