Examen


FET, MOSFET, CMOS
Amplificadores Operacionales
Jesus Paul


FET

Transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en 1948, al mismo tiempo que el transistor normal obipolar, pero no fue posible su implantación hasta 1970 debido a la alta tecnología necesaria para formar sus uniones.
No es muy común encontrarse en un circuito un transistor FET aislado, éstos suelenaparecer, más bien, insertos en circuitos integrados. Otras veces aparecen incorporados, por ejemplo, en las cápsulas microfónicas, como un pequeño preamplificador de la señal débil que se produce enéstas.
Un FET reúne las características más interesantes de las válvulas electrónicas, con las grandes ventajas de los componentes semiconductores. Según su composición, existen dos tipos detransistores FET, los FET de canal N y los FET de canal P.




Este componente está formado por una delgada capa de material semiconductor tipo N denominado canal. A los dos de éste aparecen dos regiones dematerial semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del canal se sitúa un terminal. Así, tenemos un terminal de fuente o surtidor y de otro de sumidero o drenador. Las dos regiones P seinterconectan entre sí, exteriormente en el terminal de compuerta o graduador.
Este componente funciona de la siguiente forma: en los transistores de unión bipolares, la corriente colector emisor secontrolaba gracias a la variación de la pequeña corriente que se aplica a la base, realizándose la conducción tanto por electrones como por huecos. Sin embargo, los transistores de efecto de campo funcionansolamente con un tipo de portadores de carga: huecos o electrones, según el tipo de canal. Así, por ejemplo, en un FET de canal N los portadores son los electrones.
El transistor de la figura 1conduce siempre del terminal de surtidos al de drenador. El canal N posee suficientes electrones libres para que se pueda establecer un paso de corriente. Si ahora sometemos el terminal de graduador a...