Experimentacion Con Diodos

UNIVERSIDAD DE ANTOFAGASTA
FACULTAD DE INGENIERIA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA ELECTRICA
Laboratorio de electrónica

INFORME EXPERIENCIA Nº I

“Experimentación de diodos”

Profesor :

Integrantes: Alejandro

.Fecha : 08-04-2010

ÍNDICE

Pág.

I.- Equipos y elementos utilizados……………………………………………………....3

II.- Desarrollo de la experiencia ...……………….............................................................4

III.- Resultados obtenidos ...…………………...……………….........................................6

IV.-Discusión……………………………………………………………………………..11

V.- Conclusión…………………………………………………………….…...................13

VI.- Bibliografía ……..………………………………………………………………..…..14

I. Equipos y elementos utilizados.

• 1 diodo1n4007

• 1 diodo zener 1n4740A

• Resistencias de: 4,7 Ω de ¼ watt, 10 Ω de ½ watt y 100 Ω de ½ watt

• Potenciómetro 1K Ω

• Protoboard

• Alicate• Fuente de voltaje 0-24 V

• Multimetro digital marca LG

• Miliamperímetro

II. DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA

Diodo de juntura directamente polarizado
[pic]
Fig.1: Circuito directamente polarizado con diodo de silicio 1n4007

1. Se arma el circuito de la Fig.1 dejando inicialmente el potenciómetro de 1k Ω en 0 %.

2. Con “S” cerrado se mide elvoltaje en la resistencia y el voltaje en el diodo.

3. Se abre “S” y se mide la corriente del circuito.

4. Se repite el paso 2 y 3 aumentando el potenciómetro gradualmente registrando los datos en la Tabla 1.

5. Se toman los datos para el caso especial en que Vf = 5 [V], R=100 [Ω]

Diodo de juntura inversamente polarizado

[pic]

Fig.2: Circuito inversamentepolarizado con diodo de silicio 1n4007

1. Se arma el circuito de la Fig.2 con diodo inversamente polarizado

2. Se aumenta gradualmente el voltaje de la fuente y se registran los datos en la Tabla 2.

Diodo zener directamente polarizado

[pic]

Fig.4: Circuito zener directamente polarizado con diodo de silicio 1N4047

1. Se arma el circuito de la Fig.4 dejando inicialmentela fuente en 0 %.

2. Con “S” cerrado se mide el voltaje en la resistencia y el voltaje en el diodo.

3. Se abre “S” y se mide la corriente del circuito.

4. Se repite el paso 2 y 3 aumentando gradualmente la fuente registrando los datos en la Tabla 4.

Diodo de zener inversamente polarizado

[pic]

Fig.4: Circuito zener inversamente polarizado con diodo desilicio 1N4047

1. Se arma el circuito de la Fig.2 con diodo inversamente polarizado

2. Se aumenta gradualmente el voltaje de la fuente y se registran los datos en la Tabla 2.

III. Resultados obtenidos

Diodo de silicio 1N4007

La tabla 1 a continuación muestra los resultados obtenidos del circuito con diodo de juntura en polarización directa donde en la fila 15 se encuentranlos datos del caso especial .

Tabla 1: Resultados obtenidos diodo de silicio en polarización directa

|N° | I [mA] |Vd [V] |Vr [V] |Vf [V] |
|1 |190.000 |0.79800 |1.038 |1.859 |
|2 |150.000 |0.78000 |1.064 |1.859 |
|3 |105.000 |0.78000|1.066 |1.859 |
|4 |80.000 |0.77000 |1.069 |1.859 |
|5 |60.000 |0.77600 |1.070 |1.859 |
|6 |50.000 |0.77500 |1.072 |1.859 |
|7 |40.000 |0.75800 |1.092 |1.859 |
|8 |17.000...