experimento 1 de circuitos logicos UTP

Experimento 1
DIODOS RECTIFICADORES Y DETECTORES

OBJETIVOS DEL EXPERIMENTO
1. Estudio de Las propiedades rectificadoras del diodo de juntura.
2. Trazado y análisis de las curvas características del diodo de juntura.
3. Estudio del método para el trazado de la curva característica del diodo.
4. Análisis, de las propiedades en base a la curva característica del diodo.
5. Estudio delmétodo de medición de la resistencia dinámica.
6. Estudio de las propiedades del diodo de silicio y del diodo de germanio.
INSTRUMENTAL NECESARIO
1. Tablero n°2 y caja de componentes.
2. Tablero n°i (Trazador de curvas).
3. Generador de señales de audiofrecuencia.
4. Fuente de alimentación estabilizada variable no menos de 30 V y otra fuente de 18 V.
5. Dos multímetros.
6. Osciloscopio.EJERCICIOS PRELIMINARES PARA EL EXPERIMENTO 1
1. Se da el siguiente circuito:







El diodo es de germanio y su curva característica está dada en la figura 1.8 de la Sección Teórica. Suponiendo que la corriente en el circuito es de 10 MA, calcular:
1. La resistencia estática (según la curva característica).
2. La resistencia dinámica (según lacurva característica).
3. La resistencia dinámica (según la formula).
4. La tensión de la juntura VQ (según la curva característica)
5. La tensión de la fuente E.
Suponiendo que la curva característica del diodo de germanio de la figura 1.8 está dada para la temperatura ambiente de 25°C. Calcular:
a. La variación de la tensión de juntura si la temperatura aumenta a 35°C.
b. La tensión dejuntura a ésta temperatura.
c. La corriente inversa de saturación a la temperatura de 35°C.
Poralizacion
Directa
Vr
0.05
0.1
0.15
0.2
0.05
0.11
0.16
0.22
0.27
0.31
0.36
0.42
0.47
0.52

ID




1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Poralizacion
Inversa

Inversa
Vr
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
15
20
25
30

Ir














TABLA 1.1 : Trazado de lacaracterística del diodo de germanio
1.4 Interrumpa la fuente de alimentación. Invierta la polaridad del diodo según se indica en la figura El.2.







FIGURA El 1.2: Circuito para el trazado de la característica inversa del diodo
1.5 Realice las mediciones según las indicaciones de la parte inferior de la tabla 1.1 cuidando de ampliar adecuadamente los rangos de medida de losinstrumentos.
Anote las lecturas en la misma tabla.
Antes de continuar con el desarrollo del experimento conteste-la siguiente pregunta:
a. ¿Qué fenómeno se producirá si se continúa aumentando- la tensión inversa? ¿Cómo se denomina ese fenómeno?
Interrumpa la fuente de alimentación. Conecte nuevamente el circuito como MU indica en la figura El.l reemplazando el diodo de germanio por el diodo desilicio. Repita las mediciones de los párrafos 1.3, l.4 y 1.5 con el diodo de silicio y anote las lecturas en la tabla 1.2.

Poralizacion
Directa
Vr
0.05
0.1
0.15
0.2
0.5
0.61
0.64
0.67
0.69
0.72
0.75
0.77
0.8
0.82

ID




1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Poralizacion
Inversa

Inversa
Vr
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
15
20
25
30

IrTABLA 1.2: Trazado de la característica del diodo de silicio
Se pueden dibujar las características de los diodos mediante las lecturas de las mediciones anotadas en las tablas 1.2 y 1.1 (se realizará en la sección: "Elaboración-dé Resultados").
2. TRAZADO DINAMICO DE LA CARACTERISTICA DEL DIODO
Explicación: El trazado estático de la característica del diodo es un meto- do largo, pesado ycansador. El proceso de trazado es doble: primero se realiza la lectura de las mediciones y luego se las traspasa a una hoja en la que hay ejes de coordenadas. Con el fin de revisar rápidamente la característica del diodo se desarrolló el aparato denominado "Trazador de Curvas" (Curve tracer) el que realiza simultáneamente las dos etapas del proceso de trazado antes mencionadas,, y representa la...