expo tecno 3
Historia: El transistor bipolar fueinventado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel deFísica en 1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos, o triodo.
El transistor de efecto campo fue patentado antes que el transistor BJT (en 1930), pero no se disponía de latecnología necesaria para fabricarlos masivamente.
Es por ello que al principio se usaron transistores bipolares y luego los denominados transistores de efecto de campo (FET). En los últimos, la corrienteentre el surtidor o fuente (source) y el drenaje (drain) se controla mediante el campo eléctrico establecido en el canal. Por último, apareció el MOSFET (transistor FET de tipo Metal-Óxido-Semiconductor).Los MOSFET permitieron un diseño extremadamente compacto, necesario para los circuitos altamente integrados (CI).
Hoy la mayoría de los circuitos se construyen con tecnología CMOS. La tecnología CMOS(Complementary) MOS ó MOS Complementario) es un diseño con dos diferentes MOSFET (MOSFET de canal n y p), que se complementan mutuamente y consumen muy poca corriente en un funcionamiento sincarga.
Métodos de fabricación de diodos
La fabricación de un diodo depende dedos (2) factores
El material utilizado en la construcción
El tipo de unión PN usado
GE: iodo de baja y media potencia...
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