Fabricación Circuito Integrado

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Pasos Generales de Fabricación de un Circuito Integrado formado por Silicio como componente activo(cmos)
Los pasos de fabricación básica se puedenrealizar muchas veces, en diferentes combinaciones y en diferentes condiciones de procedimiento durante un turno de fabricación completo.
Preparación de la oblea
El material inicial para loscircuitos integrados modernos es el Silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólido de color gris acero de 10 a 30 cm de diámetro y puede ser de 1m a 2m de longitud (Figura 1). Estecristal se rebana para producir obleas circulares de 400um a 600um de espesor, (1um es igual a 1x10-6 metros). Después, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo, a partir de técnicas depulimento químicas y mecánicas. Las propiedades eléctricas y mecánicas de la oblea dependen de la orientación de los planos cristalinos, concentración e impurezas existentes. Para lograr tener mayorresistividad, se necesita alterar las propiedades eléctricas del Silicio a partir de un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n excesivamente impurificado (baja resistividad) seríadesignada como material n+, mientras que una región levemente impurificada se designaría n-.
Oxidación
Se refiere al proceso químico de reacción del Silicio con el Oxígeno para formar Dióxido deSilicio (SiO2). Para acelerar dicha reacción se necesitan de hornos ultralimpios especiales de alta temperatura. El Oxígeno que se utiliza en la reacción se introduce como un gas de alta pureza (proceso de“oxidación seca”) o como vapor (“oxidación húmeda”). La Oxidación húmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidación seca produce mejores características eléctricas. Su constantedieléctrica es 3.9 y se le puede utilizar para fabricar excelentes condensadores. El Dióxido de Silicio es una película delgada, transparente y su superficie es altamente reflejante. Si se ilumina con luz...