Fabricación De Circuitos Integrado
Páginas: 3 (722 palabras)
Publicado: 29 de octubre de 2012
Fabricación de circuitos integrado
Es el proceso mediante el cual se crean los circuitos integrados presentes hoy día en todos los dispositivos electrónicos. Es un proceso complejo y en el queintervienen numerosas etapas de fotolitografía y procesado químico, durante las cuales los circuitos se generan sobre una oblea hecha de materiales puramente semiconductores. Para ello se empleamayoritariamente el silicio, aunque también se usan semiconductores compuestos para aplicaciones específicas, como el arseniuro de galio.
Pasos Generales de Fabricación de un Circuito Integrado formadopor Silicio como componente activo
Preparación de la oblea
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el Silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólidode color gris acero de 10 a 30 cm de diámetro y puede ser de 1m a 2m de longitud. Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400um a 600um de espesor, (1um es igual a 1x10^-6 metros).Después, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo, a partir de técnicas de pulimento químicas y mecánicas. Las propiedades eléctricas y mecánicas de la oblea dependen de la orientación delos planos cristalinos, concentración e impurezas existentes.
Oxidación
Se refiere al proceso químico de reacción del Silicio con el Oxígeno para formar Dióxido de Silicio (SiO2). Para acelerar dichareacción se necesitan de hornos ultra limpios especiales de alta temperatura. El Oxígeno que se utiliza en la reacción se introduce como un gas de alta pureza (proceso de “oxidación seca”) o comovapor (“oxidación húmeda”). La Oxidación húmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidación seca produce mejores características eléctricas. Su constante dieléctrica es 3.9 y se le puedeutilizar para fabricar excelentes condensadores.
Difusión
Es el proceso mediante el cual los átomos se mueven de una región de alta concentración a una de baja a través del cristal semiconductor....
Es el proceso mediante el cual se crean los circuitos integrados presentes hoy día en todos los dispositivos electrónicos. Es un proceso complejo y en el queintervienen numerosas etapas de fotolitografía y procesado químico, durante las cuales los circuitos se generan sobre una oblea hecha de materiales puramente semiconductores. Para ello se empleamayoritariamente el silicio, aunque también se usan semiconductores compuestos para aplicaciones específicas, como el arseniuro de galio.
Pasos Generales de Fabricación de un Circuito Integrado formadopor Silicio como componente activo
Preparación de la oblea
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el Silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólidode color gris acero de 10 a 30 cm de diámetro y puede ser de 1m a 2m de longitud. Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400um a 600um de espesor, (1um es igual a 1x10^-6 metros).Después, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo, a partir de técnicas de pulimento químicas y mecánicas. Las propiedades eléctricas y mecánicas de la oblea dependen de la orientación delos planos cristalinos, concentración e impurezas existentes.
Oxidación
Se refiere al proceso químico de reacción del Silicio con el Oxígeno para formar Dióxido de Silicio (SiO2). Para acelerar dichareacción se necesitan de hornos ultra limpios especiales de alta temperatura. El Oxígeno que se utiliza en la reacción se introduce como un gas de alta pureza (proceso de “oxidación seca”) o comovapor (“oxidación húmeda”). La Oxidación húmeda tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidación seca produce mejores características eléctricas. Su constante dieléctrica es 3.9 y se le puedeutilizar para fabricar excelentes condensadores.
Difusión
Es el proceso mediante el cual los átomos se mueven de una región de alta concentración a una de baja a través del cristal semiconductor....
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