Fabricación de Circuitos Integrados

La fabricación de circuitos integrados es un proceso muy complejo, con diversas etapas en las cuales los circuitos se dibujan sobre obleas de materiales semiconductores, generalmente de silicio,aunque también se usan semiconductores compuestos para aplicaciones específicas (arseniuro de galio).
Éste proceso sigue un procedimiento VLSI (Very Large Scale Integration) empleando al silicio comomateria prima.
El silicio se refina mediante técnicas de purificación y de cristalización. Su uso extendido es debido a sus propiedades físicas para la elaboración de dispositivos activos (relacióntensión/corriente no lineal) con buenas características eléctricas, así como su facilidad de oxidación para formar un buen aislante (SiO2), empleado para construir condensadores y dispositivos MOSFET.La propiedad de protección del óxido de silicio permite modificar fácilmente sus propiedades eléctricas en áreas predefinidas. Por tanto, se pueden construir elementos activos y pasivos en la mismapieza material, por lo que los componentes pueden interconectarse con capas de metal para formar el circuito integrado monolítico.
Los pasos generales de fabricación de un circuito integrado cuyocomponente es el silicio son:
1. La preparación de la oblea
El silicio de muy alta pureza adquiere la forma de un cilindro de 10 a 30 cm de diámetro y de 1 a 2 metros de longitud. El cilindro se rebana enobleas circulares de entre 400 y 600 de espesor, tras lo cual se alisa hasta conseguir un acabado de espejo, cosa que se consigue mediante técnicas de pulimento químicas y mecánicas. De estodependen las propiedades eléctricas y mecánicas del silicio. Para aumentar su resistividad, se alteran las propiedades eléctricas del silicio mediante un proceso conocido como “dopaje”, mediante el cual, unaoblea muy impurificada (baja resistividad) es designada como material n+, mientras que una oblea levemente impurificada (alta resistividad) se designaría como material n-.
2. Oxidación
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