FABRICACION DE TRANSISTORES

FABRICACIÓN DE
DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES
(TRANSISTORES)

Contenido
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Transistor de puntas de contacto
Transistor de aleación
Transistor de difusión
Transistor de barrerasuperficial
Transistor mesa
Transistor epitaxial
Transistor planar
Encapsulados

TRANSISTOR DE PUNTAS DE CONTACTO

Sobre una pastilla de tipo N
(base) se introducen dos alambres
de acero fosforoso cuyos átomosse
esparcen dentro de la pastilla
(emisor, colector).

TRANSISTOR DE ALEACIÓN

Sobre material de tipo N (base) se
colocan dos bolitas de indio que al
calentarse se funde, y al enfriarse
crea doszonas tipo P.

TRANSISTOR DE DIFUSIÓN O DE ALEACIÓN DIFUSA
Se toma una pastilla base de tipo P sobre la
cual se forma una capa N(difusión) a continuación se coloca una bolita de material
PN y otra de Nen la misma cara de la
pastilla.Mediante tratamiento térmico
los átomos N penetran más que los
P formando zona N y P.
*Emisor constituido por átomos
P de la bolita PN
*Base formada por la difusión
deátomos N y la capa depositada
por vapor
*Colector formado por la pastilla base
La bolita de tipo N
sirve de conexión con la zona N del
transistor

TRANSISTOR DE BARRERA SUPERFICIAL

Se ataca una obleade semiconductor
con dos chorros muy delgados
de electrolito al mismo tiempo que
se hace pasar una corriente eléctrica
que origina una conexión por ambos
lados(base).
Mediante depositadoelectroquímico
se obtienen el emisor y el colector

TRANSISTOR MESA

Sobre una pastilla de tipo P
(colector)por difusión vapor se
deposita una capa tipo N, se
difunden después aceptadores que
compensan losdonadores
(emisor).Los contactos de base y
emisor se puede utilizar el sistema
de evaporar y depositar en forma de
tiras un material adecuado.

TRANSISTOR EPITAXIAL

A una pastilla (P o N) portadora se ledeposita una capa de semiconductor
formando una red epitaxial (colector)
La base y el emisor se colocan sobre la
capa epitaxial y se forman por difusión o
aleación difusa.

TRANSISTOR PLANAR...