Fabricacion y caracterizacion de diodos e lectro-luminiscentes de silicio poroso
Páginas: 2 (483 palabras)
Publicado: 3 de noviembre de 2011
Fabricacion y caracterizacion de diodos e lectro-luminiscentes de silicio poroso
Introducción
Sabias que para la fabricación DEL´s se ocupa el silicio poroso pero también el oro, que es una uniónmetal-SP y los cuales tienen que ser espuesto a rayos uv, y que su luminosidad depende también del tipo de polaridad que se ponga.
Desarrollo
Para la fabricación de diodos electroluminicentes(DEL´s) se ocupa la unión de un metal-semiconductor formado por una película de silicio poroso al 50% y un contacto de oro y la emisión electroluminiscente esta asociada a la recombinación asociativa en eloxido de silicio que recubre SP. Para la extracción del silicio poroso el mejor método es la anodización electroquímica en soluciones de acido ya que con ello se puede controlar el espesor de las PSP(películas de silicio poroso). Se dice que el FL esta relacionado a la formación de estructuras silicio-hidrogeno-oxigeno (siloxenos). Un gran problema durante su fabricación es la eliminación deresiduos de las soluciones químicas utilizadas. Para la preparación de PSP se ocupan obleas de silicio cristalino tipo p y resistividad de 1-5 Ohm-cm, el espesor se fijo estableciendo el tiempo deanodización y la porosidad se modifico cambiando la concentración HF. El metal de la unión que es oro se deposito por pulverización catódica. Se dice que para una corriente anodizada fija al aumentar laconcentración de HF disminuye la porosidad, al igual que la intensidad de FL. Las PSP al 50% presentan buena estabilidad mecánica y una gran intensidad de señal FL ya que si se ocupa otro con mayorporosidad se pueden producir fracturas durante la anodización. Para examinar el comportamiento de FL se ocupa una lámpara UV a condiciones de ambiente de humedad. La formación de los espectros de FLdepende de la porosidad de PSP y la película de SiO que los recubre. Las uniones metal-SP presentan características de rectificación de 3 a 4 orden dependiendo la polarización inversa o directa. En...
Introducción
Sabias que para la fabricación DEL´s se ocupa el silicio poroso pero también el oro, que es una uniónmetal-SP y los cuales tienen que ser espuesto a rayos uv, y que su luminosidad depende también del tipo de polaridad que se ponga.
Desarrollo
Para la fabricación de diodos electroluminicentes(DEL´s) se ocupa la unión de un metal-semiconductor formado por una película de silicio poroso al 50% y un contacto de oro y la emisión electroluminiscente esta asociada a la recombinación asociativa en eloxido de silicio que recubre SP. Para la extracción del silicio poroso el mejor método es la anodización electroquímica en soluciones de acido ya que con ello se puede controlar el espesor de las PSP(películas de silicio poroso). Se dice que el FL esta relacionado a la formación de estructuras silicio-hidrogeno-oxigeno (siloxenos). Un gran problema durante su fabricación es la eliminación deresiduos de las soluciones químicas utilizadas. Para la preparación de PSP se ocupan obleas de silicio cristalino tipo p y resistividad de 1-5 Ohm-cm, el espesor se fijo estableciendo el tiempo deanodización y la porosidad se modifico cambiando la concentración HF. El metal de la unión que es oro se deposito por pulverización catódica. Se dice que para una corriente anodizada fija al aumentar laconcentración de HF disminuye la porosidad, al igual que la intensidad de FL. Las PSP al 50% presentan buena estabilidad mecánica y una gran intensidad de señal FL ya que si se ocupa otro con mayorporosidad se pueden producir fracturas durante la anodización. Para examinar el comportamiento de FL se ocupa una lámpara UV a condiciones de ambiente de humedad. La formación de los espectros de FLdepende de la porosidad de PSP y la película de SiO que los recubre. Las uniones metal-SP presentan características de rectificación de 3 a 4 orden dependiendo la polarización inversa o directa. En...
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