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TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR


ABSTRACT
in this laboratory we observe the use and behavior of a bipolar junction transistor of knowing their different behaviors in connection varyingload resistances. is met the three components of which are transistor emitter, base, collector.

PALABRAS CLAVES emitter, collector, base, resistance
OBJETIVO GENERAL:
Analizar elcomportamiento del transitor NPN y PNP mediante el montaje, observación y medición de los parámetros que lo identifican como tal.
OBJETIVOS ESPECÍFICOS:
Realizar en forma correcta el diseño yoperación de una conexión de transistor de unión bipolar con una polarización fija.
Identificar los diferentes valores de voltaje y corriente en la base emisor y colector





MARCO TEÓRICO:Es un dispositivo electrónico de tres terminales formando por un cristal de silicio en la que se crea una región de tipo n entre dos de tipo p o bien en una de tipo p entre dos de tipo n,en primer caso el transistor se denomina PNP y en el segundo NPN. Ion
Emisor: es una región muy dotada funciona como el emisor de portadores de carga
Base: es la región central estrecha ypoco dopada que se encarga de controlar el paso de los portadores
Colector: es la región unida a la base de extensión mas amplia cuyo objeto es captar los portadores inyectados desde dicharegión desde el emisor











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RESULTADOS Y ANALISIS DE RESUSLTADOS


RB=224KΩ
RC= 1KΩ Y 2KΩ
CALCULOS
CON RESISTENCIA DE CARGA DE 1KΩ
IB=0.016mA
IC=4.767mAIE=4.771mA
VB=0.633V(comporta como un diodo)
VC=181.57mV
VE= -0.46,37 mV
VCE= 180.6 mV
VBE= 0.632 V
CON RESISTENCIA DE CARGA DE 2K Ω
VB= 0.605 V
VC=072.59 mV
VE= -046.35 mVCORRIENTE
IB= 0.616 mA
IC= 1.852 mA
IE=1.868 mA
VOLTAJES.
VCE= -165.35 mV
VBE= -0.697,6 mV
































CONCLUSIONES


BIBLIOGRAFIA...