familiarizacion de los fet 1

RESUMEN
Con la realización de este experimento se pretende familiarizarnos con el transistor de efecto de campo (JFET), al igual que tener un amplio conocimiento de la curva característica de la corriente de drenaje, el cual consistía en armar el circuito asignado por la guía y de esta manera, variando los voltajes de VGS y VDS para así observar gráficamente la curva característica de estedispositivo; podemos notar que utilizamos un JFET de referencia 2N5484 de canal N y el laboratorio incluyendo fuente, multímetro y otras herramientas más.

INTRODUCCIÓN
JFET

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. LosFET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entredrenador y fuente.
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de depleción que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a través del canal creado entre las zonas de depleción van al drenaje, por lo que la corriente dedrenaje es igual a la corriente de fuente.


Polarización y curvas características.

Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. La terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corrientepasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama punch-off y es diferente para cada JFET.
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que haya cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El JFET es controlado por tensión y los cambios entensión de la compuerta a fuente modifican la región de rarefacción (deplexión) y causan que varíe el ancho del canal.
Al hacer un barrido en corriente directa, se obtienen las curvas características del transistor JFET. Las curvas características típicas para estos transistores se encuentran en la imagen, nótese que se distinguen tres zonas importantes: la zona óhmica, la zona de corte y la zona desaturación.
Existen otros tipos de curvas, como las de temperatura, capacitancia, etc. Todas ellas normalmente las especifica el fabricante de cada transistor. Algunos programas de simulación (como SPICE) permiten hacen barridos de CD básicos para obtener las curvas, en base a los modelos contenidos en sus bibliotecas de componentes.
El transistor JFET, al igual que los BJT, se pueden polarizar dediversas maneras (más adelante se verá) para dar lugar a configuraciones de amplificadores de señal, sin embargo no son las únicas aplicaciones, por ejemplificar algunas otras se tienen la configuración para formar osciladores, interruptores controlados, resistores controlados, etc.

MÉTODOS Y MATERIALES

Para la realización de este laboratorio utilizamos una fuente variable de voltaje, Protoboard,un alicate, dos multímetro, cable utp, un transistor JFET de canal n (2N5484), después de tener todo estos materiales procedimos a montar el circuito mostrado en la figura asignada por el libro de prácticas electrónica de malvino, (transistor de efecto de campo de unión JFET: familiarización y curvas características). Siguiendo minuciosa mente los siguientes pasos:
Procedimos a armar el...