Fase amorfa

La observación directa de las transiciones de fase amorfa a cristalina en las matrices de nano partículas de materiales de cambio de fase
Hemos utilizado el tiempo a resolver difracción de rayos X para estudiar la transición de fase amorfa-cristalina en 20-80 nm de partículas de los materiales de cambio de fase Ge2Sb2Te5, nitrógeno Ge2Sb2Te5 dopado, Ge15Sb85, Sb2Te, y Sb2Te dopado con Ag y In.Encontramos que todas las muestras de someterse a la transición de fase de cristalización, con temperaturas próximas a las de las películas manta similar preparado con los mismos materiales con la excepción de Sb2Te que muestra la transición a una temperatura que es de aproximadamente 40 ° C superior a la de las películas de manta. Algunas de las nanopartículas muestran una diferencia en la texturacristalográfica en comparación con las películas de espesor. Matrices de grandes áreas de estas nanopartículas fueron fabricados utilizando litografía electronbeam, manteniendo la temperatura de la muestra muy por debajo de las temperaturas de cristalización para producir partículas que estaban completamente en la fase amorfa. La observación de que las partículas con diámetros tan pequeñas como20 nm aún puede someterse a esta fase de transición indica que el cambio de fase sólida tecnología de memoria de estado deben ampliar a estas dimensiones.
I. INTRODUCCIÓN
Los materiales de cambio de fase puede existir en una fase amorfa y al menos una fase cristalina con las propiedades físicas a menudo muy diferentes de las fases. Las diferencias en la reflectividad son explotados por ejemplo,en almacenamiento óptico, discos compactos regrabables y discos versátiles digitales para almacenar datos como marcas amorfo en una matriz cristalina de estos materiales. El cambio de la amorfa de la fase cristalina se puede lograr mediante un calentamiento del material de cambio de fase en la temperatura de cristalización, Tx durante un tiempo suficientemente largo, y materiales de cambio develocidad de fase, puede cristalizar en una escala de tiempo de unas decenas de nanosegundos. La amorfización inversión se obtiene por fusión del material de cambio de fase y enfriamiento por debajo de la temperatura de cristalización en un momento en que es demasiado corto para la cristalización. Los materiales de cambio de fase se han aplicado en almacenamiento óptico y son de uso amplio. Otratecnología de memoria se está desarrollando en la gran diferencia en la resistencia entre las fases cristalina y amorfa de los materiales de cambio de fase se utilizó para almacenar la información en un sólido estado de la memoria celular.La cristalización se logra calentando el material de cambio de fase por encima de Tx de un tiempo suficientemente largo utilizando un pulso de corriente eléctrica yde enfriamiento amorfización fusión también se consigue por un pulso de corriente eléctrica, que suele ser más alto y más corto que el pulso de la cristalización.
La información, almacenada en forma de la resistividad en la celda, es leído por un pulso de corriente pequeña que es demasiado bajo para introducir cualquier fase de transición. Para el almacenamiento óptico, y más aún de sólidosdispositivos de memoria de estado, una de las cuestiones más importantes para el desarrollo de la tecnología es la escalabilidad de los propios materiales. La cuestión fundamental es en qué dimensiones el punto de partida a la influencia de las materias importantes, como las propiedades de cristalización, punto de fusión, resistividades en las distintas fases, o la estabilidad térmica de la fase amorfaen contra de la cristalización a temperaturas elevadas.
Los dispositivos de memoria de cambio de fase se han descrito en de la literatura, con unas dimensiones críticas que son menores que las dimensiones críticas de la actual nodo de tecnología de la litografía. Fueron fabricados por haz de electrones litográfico 1, 2 o por técnicas litográficas que pueden conducir a las áreas de contacto...