FET's

APUNTE: CONSTRUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS
DE LOS JFET

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INDICE
Construcción y Características de los JFET……………………….………
Relaciones de Corrientes y Voltajes……………………………..…………
Aplicaciónde la Ecuación de Shockley………………………………….…
El JFET v/s El Transistor (BJT)…………………………………………...…
Polarización del JFET………………………………………………...………
Modelo Simple del JFET en Señal Pequeña………………………………
Mosfet.....………………………………………………………………………
Construcción básica de un Mosfet de tipo decremental de un
empobrecimiento.....................................................................................Operación y Características básicas del Mosfet de empobrecimiento....
Manejo de los Mosfet…………………………………………………………
Cmos.......………………………………………………………………………

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CONSTRUCCIÓN Y CARACTERÍSTICAS DE LOS JFET.
El JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de ellas capaz decontrolar el flujo de corriente entre las otras dos terminales. En general hay dos
tipos de JFET, denominadas de canal N y canal P. Para el análisis utilizaremos
fundamentalmente el JFET canal - N y por analogía se darán párrafos dedicados
a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal - P.
La construcción básica del JFET de canal - N se muestra en la figura 1. Observe
que la mayor partede la estructura es el material tipo n que forma el canal entre
las capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se
conecta mediante contacto óhmico a la terminal denominada como drenaje (drain)
(D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de
contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales
tipo p seencuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la terminal de
compuerta (gate) (G). Por tanto, el drenaje y la fuente se conectan en esencia a
los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p.
En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones
p-n bajo condiciones sin polarización. El resultado es una región de agotamientoen cada unión, como se ilustra en la figura 1, que se parece a la misma región de
un diodo bajo condiciones sin polarización. Recuérdese también que una región
de agotamiento es aquella región carente de portadores libres y por lo tanto
incapaz de permitir la conducción a través de la región.

a) Estructura

b) Simbología

Figura #1: Transistor de unión de efecto de campo (JFET) canal N.Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser
engañosas, pero la analogía hidráulica de la figura 2 proporciona un sentido al
control del JFET en la terminal de compuerta y a la conveniencia de la
terminología aplicada a las terminales del dispositivo. La fuente de la presión del
agua puede asemejarse al voltaje aplicado del drenaje a la fuente, el cual
estableceráun flujo de agua (equivalente al flujo de electrones) desde el grifo o
llave (fuente). La "compuerta", por medio de una señal aplicada (potencial),
controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la

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fuente están en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura 1,
debido a que la terminología se define para el flujo deelectrones.

Figura #2: Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET.
(VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo)
En la figura 3 se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a través del canal y la
compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la
condición VGS = 0 V. El resultado es que las terminales de compuerta y fuente se
hallan al mismo potencial y hay...