Fet Capitulo Vi
Páginas: 4 (929 palabras)
Publicado: 19 de junio de 2012
CAPITULO VI
TRANSISTORES FET Y AMPLIFICADORES BASICOS
03/06/2009
L. Salazar (Ph.D.) Electronica 2009
1
PRINCIPIO DE OPERACION
• • Dispositivo de estado sólido en el cual un campoeléctrico controla el flujo de portadores en un canal de conducción Pueden operar como fuentes de corriente controladas por voltaje, resistencias controladas por voltaje o como conmutadores electrónicoscontrolados por voltajes Son dispositivos unipolares es decir solo participa en la conducción un solo tipo de portador: huecos o electrones pero no ambos como en el BJT La característica de transferenciasigue una ley cuadrática, función parabólica, a diferencia del BJT que se describe por funciones exponenciales Presenta alta impedancia de entrada en terminal de control, es decir no consumeprácticamente corriente de control, lo que simplifica los circuitos de control La transconductancia gm es menor que la que presenta un BJT
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03/06/2009
L. Salazar (Ph.D.) Electronica 20092
1
TIPOS DE FET
03/06/2009
L. Salazar (Ph.D.) Electronica 2009
3
TIPOS DE FET
03/06/2009
L. Salazar (Ph.D.) Electronica 2009
4
2
SIMBOLOS
03/06/2009
L.Salazar (Ph.D.) Electronica 2009
5
ESTRUCTURAS
FET TIPO EMPOBRECIMIENTO O DEPLEXION O CON CANAL, Tipo n
(DEPLETION)
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6
3
ESTRUCTURASFET TIPO EMPOBRECIMIENTO O DEPLEXION O CON CANAL Tipo p
(DEPLETION)
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7
ESTRUCTURAS
FET TIPO ENRIQUECIMIENTO O CON CANAL INDUCIDO Tipo n(ENHANCEMENT)
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8
4
ESTRUCTURAS
FET TIPO ENRIQUECIMIENTO O CON CANAL INDUCIDO Tipo p
(ENHANCEMENT)
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9
DETALLE ESTRUCTURAL
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5
INDUCCION DE CANAL
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TRANSISTORES FET Y AMPLIFICADORES BASICOS
03/06/2009
L. Salazar (Ph.D.) Electronica 2009
1
PRINCIPIO DE OPERACION
• • Dispositivo de estado sólido en el cual un campoeléctrico controla el flujo de portadores en un canal de conducción Pueden operar como fuentes de corriente controladas por voltaje, resistencias controladas por voltaje o como conmutadores electrónicoscontrolados por voltajes Son dispositivos unipolares es decir solo participa en la conducción un solo tipo de portador: huecos o electrones pero no ambos como en el BJT La característica de transferenciasigue una ley cuadrática, función parabólica, a diferencia del BJT que se describe por funciones exponenciales Presenta alta impedancia de entrada en terminal de control, es decir no consumeprácticamente corriente de control, lo que simplifica los circuitos de control La transconductancia gm es menor que la que presenta un BJT
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TIPOS DE FET
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TIPOS DE FET
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SIMBOLOS
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ESTRUCTURAS
FET TIPO EMPOBRECIMIENTO O DEPLEXION O CON CANAL, Tipo n
(DEPLETION)
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ESTRUCTURASFET TIPO EMPOBRECIMIENTO O DEPLEXION O CON CANAL Tipo p
(DEPLETION)
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ESTRUCTURAS
FET TIPO ENRIQUECIMIENTO O CON CANAL INDUCIDO Tipo n(ENHANCEMENT)
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ESTRUCTURAS
FET TIPO ENRIQUECIMIENTO O CON CANAL INDUCIDO Tipo p
(ENHANCEMENT)
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DETALLE ESTRUCTURAL
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INDUCCION DE CANAL
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