Fet En Alta Frecuencia

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA 2
PRÁCTICA 4
EL FET EN ALTA FRECUENCIA


BOGOTÁ
2012

CONTENIDO
1. INTRODUCCIÓN TEÓRICA
2. DISEÑO
3. DESARROLLO DE LA GUIA
4. CONCLUSIONES.INTRODUCCIÓN TEÓRICA
RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE transistores FET
En análisis en alta frecuencia de los amplificadores FETes similar al realizado para transistores bipolares. Los condensadores quelimitan la frecuencia de operación de un FET son: capacitancia puerta – fuente o Cgs, capacitancia puerta – drenador o Cgd, y capacitancia drenador – fuente o Cds. En la mayoría de los casosCgs>>Cgd>>Cds. Los fabricantes miden estas tres capacitancias a través de corto circuito, Ciss o capacitancia de entrada con salida cortocircuitada, Coss o capacitancia de salida con estradacortocircuitada, y Crss o capacitancia de retroalimentación.
Para abstraer los valores de capacitancias Cgs, Cgd, Cds, realizamos lo siguiente:

Figura1. a.) Modelo de pequeña señal y alta frecuencia deltransistor JFET

DISEÑO
1. Establecer el modelo de polarización por divisor de voltaje para el JFET.
Es necesario hallar los parámetros de IDSS y Vp.
Para esto realizamos el siguiente modelo:Esquema 1. Modelo para hallar la corriente IDSS.
Con VGS=0V, medir el valor de la corriente a través de la resistencia del drain.

Para hallar Vp (Voltaje pinch off):

Esquema 2. Modelo parahallar el voltaje Vp .

Lentamente aumentar VGS (más negativamente) hasta que VRD=0V. Este es el punto donde ID=0A. El valor de VGS donde ID=0A es Vp.
IDSS=3.06 mA
Vp=-1.25V
EstablecemosIDQ=IDSS2=1.53mA
Mediante la ecuación de Shockley hallamos VGSQ :
VGS=-VPIDQIDSS-1
VGS=--1.25V1.53mA3.06mA-1
VGS=-0.36V

Hallamos otros puntos para observar la recta de carga del JFET:
ID=IDSS1-VGSVp2Para VGS=-0.694V

ID=3.06mA1--0.694V-1.25V2
ID=0.605mA

Gráfica 1. Correspondiente a la recta de carga del modelo de JFET establecido. ID Vs.VGS.

VGS | ID |
0 | 3,06 |
-0,36 | 1,53 |...