FET's

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)
El transmisor de efecto de campo(fet) es un dispositivo de 3 terminales . El transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. Para el FET la corriente Ia será un función de voltaje VGS aplicando al circuito de entrada como se observa en la siguiente figura.

L a I del circuito de salida esta controlado por parámetro del circuito de in.
Haytransistores FTE de canal N y de canal P. El FET es un dispositivo que depende únicamente de la conducción o bien, de electrones ( canal n) o de huecos (canal p).
CONSTRUCCION Y CARACTERISTICAS DE LOS JFET
La construcción básica del JFET de canal n obsérvese que la mayor que la mayor parte de la estructura es del material de tipo n que forma el canl entre las capas interiores del material tipo P.La parte superior del canal tipo n se encuentra conectada por medio de un contacto óhmico a la terminal referida como el drenaje (d), mientras quie el extremo por medio de un contacto óhmico a una terminal referido como la fuente (s), conectados entres si y también a una terminal de compuerta g.
Por tanto el drenaje y la fuente se hallan conectados a los extremos del canal del tipo n y laentrada a las dos capas de material tipo p.
Durante la ausencia de cualquier potencial el JFET tiene dos emisiones p-n bajo condiciones sin polarización. El resultado es una región de agotamiento en c/ unión, lo cual se asemeja a la región de un diodo de polarización.
La región de agotamiento es aquella que no presenta portadores libres y es por tanto, incapas de soporta la conducción a travésde la región.
Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET.


DIBUJO DE UNA LLAVE



La compuerta mediante una señal aplicada (potencia), controla el flujo de electrones hacia el drenaje.

Característica y Parámetros del JFET.
VGS =0 VDS algún valor positivo
En la siguiente figura se a aplicado un voltaje positivo VDS a través del canl y la entrada se conectodirectamente a la fuente con objeto de establecer la condición VGS=0. A medida que VDD (por tanto VDS) se incrementa desde cero la Id crece proporcionalmente como se muestra en la grafica entre los puntos A y B. En esta región, la resistencia del canal es esencialmente cte.; pues la región de empobrecimiento no es suficientemente grande para tener un efecto significativo. Esta región se denominaóhmica porque ID y VDS están relacionados por la ley de ohm.
En el punto B de la grafica los niveles de la curva se estabilizan en Id se vuelve esencialmente cte.; cuando VDS crece desde el punto B hasta el punto C.
ESTRANGULAMIENTO
Para VGS=0, EL VALOR DE VDS al que Id se vuelve esencialmente cte. (punto B de la grafica), es el voltaje de estrangulamiento, Vp.
Para un JFET dado, Vp tiene unvalor fijo. Como se puede observar, un incremento continuado en VDS, por arriba del voltaje de estrangulamiento produce una corriente de drenaje casi constante, el valor de esta Id es Idss (corriente de drenaje a la compuerta en corto) y siempre se especifica en la hojas de datos de los JFET. Idss es la máxima Id que un JFET es capas de producir sin importar el circuito externo, y siempre seespecifica par al condición VGS=0 V.
Al continuar sobre la grafica, la ruptura ocurre en el punto c cuando Id empieza a crecer muy rápido con cualquier incremento adicional en VDS. L ruptura puede dar por resultado el daño irreversible del dispositivo, de modo que los JFET siempre se operan por debajo de la ruptura y dentro de la región de I cte.







El VGS controla la IA.Ahora se conectara un voltaje de polarización VGG, de la compuerta de la fuente a medida que VGS se establece en valores c/v mas negativas mediante el ajuste de VGS, se obtiene una familia de curvas características del drenaje como se observa en la siguiente grafica.







Observe que ID decrece a medida que la magnitud de VGS se incrementa a valores C/V mas negativos. También...