Fet Y Conversores

MANUAL DE PRÁCTICAS DE
INGENIERIA EN MECATRONICA

SECRETARÍA DE EDUCACIÓN PÚBLICA
SUBSECRETARIA DE EDUCACIÓN SUPERIOR E INVESTIGACIÓN CIENTÍFICA
SUBSISTEMAS DE UNIVERSIDADES TECNOLÓGICAS
COORDINACIÓN GENERAL DE UNIVERSIDADES TECNOLÓGICAS
UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DEL SURESTE DE VERACRUZ

PROFESOR: JESUS TADEO GARCIA MORALES
ALUMNO: ANGEL MAHIDI RAMIREZ CORNEJO

Elaboró:
Aprobó:

Ing.Pablo Reyna Guerra
Ing……………….
Ing. Gonzalo M. Sánchez peralta

Revisión No: 0

Fecha de revisión: xx

Nombre del (os) que actualizo.

Revisó:
Fecha de entrega en
vigor:
Página __de ___

DC-EYA-MP-01

Descripción Breve del cambio Realizado

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DEL SURESTE DE VERACRUZ

DC-EAI-MP-01

M ANUAL DE PRACTICAS DE ELECTRONICA Y AUTOMATIZACION

REVISION: 0FECHA: XXX
PAG. X

DE X

TITULO:
CURVAS TIPICAS DE DIVERSOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA

NOMBRE DE LA ASIGNATURA:
CONTROL DE MOTORES
CUATRIMESTRE:
2DO.
UNIDAD TEMÁTICA III
ELECTRONICA DE POTENCIA

LUGAR:

DURACION:

hrs.

Objetivo: El alumno deberá de conocer el comportamiento típico que presentan alguno
de los dispositivos efecto de campo y otros como el diodo schottky.Materiales

Maquinaria y equipo

Herramienta

INTRODUCCIÓN
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores en los
cuales el control de la corriente se realiza mediante un campo eléctrico.
léctrico.
Estos transistores tienen las siguientes características:
ienen
•
•
•

Dispositivo unipolar.
Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar.
Tienenuna gran impedancia de entrada (del orden de M )

Existen algunos tipos de transistores de efecto campo:
•
•
•
•
•

IGFET
MOS
MOST o MOSFET
HEMT
MESFET.

En esta breve descripción se harán ver las curvas características de funcionamiento que
presentan estos dispositivos.

TRANSISTORES DE POTENCIA.
JFET
El JFET (Junction Field-Effect Transistor o transistor de efecto de campo dejuntura o
Effect
unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores eléctricos
tivo
de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de los JFET, al ser
transistores de efecto de campo eléctrico, estos valores de entrada son las tensiones
eléctricas, en concreto la tensión entre los terminales S (fuente) y G (puerta), VGS. Según
concreto
esteeste valor, la salida del transistor presentará una curva característica que se simplifica
definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, óhmica y saturación.

Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla
de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y
fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje detipo N en las que se conectan dos
terminales entre sí (puerta). Al aplicar una tensión positiva VGSentre puerta y fuente, las
sí
entre
zonas
zonas N crean a su alrededor sendas en las que el paso de electrones (corriente ID)
queda
queda cortado, llamadas zonas de exclusión. Cuando esta VGS sobrepasa un valor
determinado, las zonas de exclusión se extienden hasta tal punto que el paso de
o,electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A ese valor de

VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se invierten, y las VGS y
Para
Vp son negativas, cortándose la corriente para tensiones menores que Vp.
cortándose
Así, según el valor de VGS se definen dos primeras zonas; una activa para tensiones
se
negativas mayores que Vp (puesto que Vp estambién negativa) y una zona de corte para
tensiones menores que Vp. Los distintos valores de la ID en función de la VGS vienen
Los
dados por una gráfica o ecuación denominada ecuación de entrada.
En
En la zona activa, al permitirse el paso de corriente, el transistor dará una salida en el
circuito que viene definida por la propia ID y la tensión entre el drenador y la fuente VDS. A
la
la...