Fets

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor) son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistorde efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET).
Se los puede usar como amplificadores o como interruptoreselectrónicos. Su ventaja es que pueden trabajar a altas frecuencias mientras que los TBJ solo trabajan en frecuencias bajas y medias

Ventajas del FET

1) Sondispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (10^7 a 10^12 ohmios).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FETson más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar más dispositivosen un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada delos FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar unapotencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilización de los FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a laalta capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a laelectricidad estática.
En este apartado se estudiarán brevemente las características de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analógicas.