Fig 3semD

DEFECTOS RETICULARES
Clases : a) DEFECTOS EXTENSOS
a) DEFECTOS EXTENSOS

Dislocación de borde

b) DEFECTOS PUNTUALES

a) DEFECTOS EXTENSOS (cont.)

Dislocación tornillo

CÚBICO
CENTRADO EN
LAS CARAS

a) DEFECTOS EXTENSOS (cont.)
A

B

C

B
A

C

C

A
A

B
B

C
C

C
apilamiento normal A B C A B C A B

a) DEFECTOS EXTENSOS (cont.)
Defectos de apilamiento

EMPAQUETAMIENTO
CÚBICO CENTRADO EN LASCARAS

Apilamiento normal A B C A B C A B

Apilamiento A B C A C A B

Apilamiento A B C A C B C A

b) DEFECTOS PUNTUALES
b.1)Defectos intrínsecos
No generan cambios
estequiométricos.

b.1.1) Defecto Shottky

Compuesto

∆HS(10-19 J/molécula)

MgO

10,57

CaO

9,77

LiF

3,75

LiCl

3,40

LiBr

2,88

NaI

2,08

NaCl

3,69

KCl

3,62

-∆HS/2kT
k = 1,38x10-23 J/molécula.K

NS = N e
-∆HS/2RT
NS = N eR = 8,314 J/mol.K

En condiciones iniciales, si sólo hay NO y O2:
NO(g) + O2(g)
Luego en determinado momento:
2NO(g) + O2(g)  2NO2(g)
Q = [NO2]2 /([NO]2 [O2])
∆G = ∆Gº + RT Ln Q.
Alcanzado el equilibrio:
2NO(g) + O2(g) ↔ 2NO2(g)
K = [NO2]eq2 /([NO]eq2 [O2]eq)
∆G = 0 ; Q = K
0 = ∆Gº + RT Ln K,
–∆Gº = RT Ln K
–∆Gº/RT = Ln K,
K = e–∆Gº /RT
Por lo tanto:

[NO2]eq2 /([NO]eq2 [O2]eq) = e–∆Gº /RT[NO2]eq2 = ([NO]eq2 [O2]eq) e–∆Gº /RT

superficie del
cristal

red del
cristal

[ ]s EQUILIBRIO

[ ]s INICIO
# de parejas (C+, A-) de puntos
reticulares ocupados/mol

=N

# de parejas (C+, A-) de puntos hipotéticos
vacíos en la superficie del cristal/mol
= NT
# de parejas (C+, A-) de puntos
reticulares vacíos/mol
# de parejas (C+, A-) movidas a la
superficie del cristal/mol

=0
=0

# de parejas(C+,A-) de puntos
reticulares ocupados/mol

=

# de parejas (C+,A-) de puntos
hipotéticos vacíos en la superficie del
cristal/mol
=
# de parejas (C+,A-) de puntos
reticulares vacíos/mol

=

# de parejas (C+,A-) movidas a la
superficie del cristal/mol

= NS

Defectos de Schottky en NaCl

T (K)

NS (por cm3)

0

0

298

5x105

473

6x108

673

8x1014

873

4x1016

1073

4x1017

b) DEFECTOS PUNTUALES(cont.)
b.1)Defectos intrínsecos
No generan cambios
estequiométricos.

b.1.2) Defecto de Frenkel

Compuesto

∆HF(10-19 J/molécula)

UO2

5,45

ZrO2

6,57

CaF2

4,49

SrF2

1,12

AgCl

2,56

AgBr

1,92

Beta-AgI

1,12

-∆HF/2RT
NF = (N•Ni)1/2•e
-∆HF/2kT
NF = (N•Ni)1/2•e

b) DEFECTOS PUNTUALES (cont.)
b.2) Defectos extrínsecos
Generan cambios estequiométricos.
Ej: Si dopado con Boro

3

4

5

6

7B

C

N

O

F

Al

Si

P

S

Cl

+
B

Ga Ge As Se Br
In Sn Sb Te I
Tl

Pb

Bi Po At

SEMICONDUCTOR TIPO P

b) DEFECTOS PUNTUALES (cont.)
b.2) Defectos extrínsecos
Generan cambios estequiométricos.
Ej: Si dopado con Arsénico

3

4

5

6

7

B

C

N

O

F

Al

Si

P

S

Cl

_
As

Ga Ge As Se Br
In Sn Sb Te I
Tl

Pb

Bi Po At

SEMICONDUCTOR TIPO N

DIODO SEMICONDUCTOR
POLARIZACIÓN DIRECTA

+

E
e-DIODO SEMICONDUCTOR
POLARIZACIÓN INVERSA

E
e-

+

•

Polarización directa
En este caso, el diodo permite el paso de la corriente sin restricción. Los
voltajes de salida y de entrada son iguales.

•

Polarización inversa
En este caso, el diodo no conduce, quedando el circuito abierto. No existe
corriente por el circuito, y en la resistencia de carga RL no hay caída de
tensión, esto supone quetoda la tensión de entrada estará en los extremos
del diodo:

Hasta el siglo 19 la mayoría de las personas usaban el fuego.
Desperdicio energético

Evolución luz artificial
Han pasado 136 años desde que Edison inventara la 1ra
bombilla eléctrica

La iluminación LED ha
ganado ampliamente el
mercado.

LED

A

Ánodo

B

Cátodo

1

Lente/encapsulado epóxico

2

Contacto metálico

3

Cavidadreflectora

4

Terminación del semiconductor

5

Yunque

6

Plaqueta

7

5y6

8

Borde plano

e-

I

COMPUESTOS USADOS EN LA CONFECCIÓN DE LEDES
Compuesto
Arseniuro de galio

(Fórmula)
(GaAs)

Color

Long. de onda

Infrarrojo

940 nm

Arseniuro de galio y aluminio (AlGaAs)

Rojo e infrarrojo

890 nm

Arseniuro fosfuro de galio

(GaAsP)

Rojo, anaranjado y amarillo

630 nm

Fosfuro de galio

(GaP)...