filtro activos

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FET)

1. MEDICIÓN DE los PARÁMETROS de un transistor de efecto de campo.

Circuito:



Materiales: 1 transistor FET 2N5457, MPF102 o similar
2 Fuentes de alimentación continua variables de 0v a 25v.
1 Plaqueta experimental.
Conectores varios.
Procedimiento:
a) Armar el circuito de la Fig. 2.1.a), variar el valor de VDS desde 0v hasta 15v, medir elvalor de la corriente de drenador IDss. Completar la tabla 2.1.a)
b) Armar el circuito de la Fig. 2.1.b), ajustar VDS = 10v y variar VGS= - Vgg desde 0v hasta -10v, medir el valor de la corriente de drenador ID. Completar la tabla 2.1.b)



Tabla:
VDS (v)
ID (A)

VGS (v)
ID (mA)
0
8.7u

0
90.2
0,2
1.58m

-0,2
86.8
0,4
12.26m

-0,4
84.5
0,6
17.80m-0,6
73.3
1
38.60m

-0.8
71.9
3
76.40m

-1
67.7
5
90.30m

-3
27.4
10
90.40m

-5
5.9
15
90.5m

-10
0
TABLA 2.1.a) TABLA 2.1.b)
c) Graficar la curva característica de salida para los datos de la tabla 2.1.a).
d) Graficar la curva característica de transferencia para los datos e la tabla 2.1.b).
e) A partir de los gráficos realizados determinarlos valores de IDss y VGSOFF = VP para VDS = 10V, anotar los valores obtenidos en la tabla 2.1.c).
VDS
10v
IDss
90.3
VGSOFF
6V
TABLA 2.1.c).
Gráficos:




datos ingresados en scicolab para graficar curva de salida
-->vds=[0 0.2 0.4 0.6 1 3 5 10 15 ]
vds =
0. 0.2 0.4 0.6 1. 3. 5. 10. 15.
-->id=[0.0000087 0.00158 0.01226 0.0178 0.0386 0.07640.0903 0.0904 0.0905]
id =
0.0000087 0.00158 0.01226 0.0178 0.0386 0.0764 0.0903 0.0904 0.0905
-->plot(vds,id)
datos ingresados en scicolab para graficar curva de transferencia
-->vgs[0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -3 -5 -10]
!--error 4
undefined variable : vgs


-->vgs=[0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1 -3 -5 -10]
vgs =

0. - 0.2 - 0.4 - 0.6 - 0.8 - 1.- 3. - 5. - 10.

-->id=[0.0902 0.0868 0.0845 0.0733 0.0719 0.0677 0.0274 0.0059 0]
id =

0.0902 0.0868 0.0845 0.0733 0.0719 0.0677 0.0274 0.0059 0.

-->plot(vgs, id)
Circuito autopolarizado.

Circuito:

Materiales: 1 transistor FET 2N5457, MPF102 o similar
1 Resistencia RD = 
1 Resistencia RS = 
1 Resistencia RG = 
1Fuente de alimentación continua de 20V.
1 Plaqueta experimental.
Conectores varios.
Procedimiento:
a) Para el circuito de la Fig.2.2 calcular los valores de RD y RS para :
ID = IDss/2 y VDS = 10V.
b) Calcular RG para que el amplificador en surtidor común tenga una impedancia de entrada (Zin) de 270K
c) Realizar los cálculos necesarios para completar la fila de valores calculados en latabla 2.2.
d) Normalizar los valores de resistencias calculados y anotarlos a continuación.
RD =180  RS = 39 RG =270k
e) Recalcular el punto Q para los valores de resistencias normalizados. Calcular los valores de tensión y corriente necesarios para completar la tabla 2.2. en la fila valores recalculados.
f) Armar el circuito de la Fig. 2.2. y realizar las medicionesnecesarias para completar la tabla 2.2. en la fila de valores medidos.
g) Comprobar el funcionamiento del circuito usando un simulador para PC recomendado por el docente y anotar los valores en la fila simulación.
Tabla:
Valores
VDD(v)
VDS(v)
VGS(v)
VRS(v)
ID(mA)
IS(mA)
IG(mA)
Calculados
20
10
-1.75
1.75
45.1
45.1
0
Medidos
19.6
8.8
-1.9
1.9
50.5
49.9
0
SimulaciónTabla 2.2.

2. POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE TENSIÓN.
Circuito:

Materiales: 1 transistor FET 2N5457, MPF102 o similar
1 Resistencia RD = 
1 Resistencia RS = 
1 Resistencia R1 = 
1 Resistencia R2 = 
1 Fuente de alimentación continua de 20V.
1 Plaqueta experimental.
Conectores varios.
Procedimiento:
a) Para el circuito de la Fig.2.3 calcular los...