Fisica 4

INSTITUTO TECNOLOGICO DE TIJUANA

Ingeniería Electrónica

FISICA IV

Practica 1
INTRODUCCION A LOS SEMICONDUCTORES

Tema de quipo: Semiconductor ZnSe (Seleniuro de Zinc)

Integrantes | No. Control |
Espinoza Camberos José Raúl | 09210809 |
Ashley Melendez Cano | 10210986 |

Profesor:
Ing. Carlos Edgar Vázquez López
Fecha de entrega: 2 de Marzo de 2012

Contenido

1 |OBJETIVOS |
2 | FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES |
2.1 | El estado sólido…………………………………………………………………………….. |
2.2 | Redes cristalinas…………………………………………………………………………… |
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2.3 | Modelo de Kronig-Penney………………………………………………………………… |
2.4 | Modelo de Bandas de energía……………………………………………………………. |
2.5 | Materiales semiconductores………………………………………………………………. |
2.5.1 | Semiconductorintrínseco……………………………………………………………... |
2.5.2 | Semiconductor extrínseco. ……………………………………………………………. |
2.6 | Modelo de Enlace Covalente …………………………………………………………….. |
2.7 | Distribución de Fermi-Dirac……………………………………………………………….. |
2.8 | Distribución de Maxwell- Boltzman………………………………………………………. |
2.9 | Densidad de estados……………………………………………………………………… |
2.9.1 | - Portadores de carga en las bandasde energía del Semiconductor intrínseco………………………………………… |
2.9.2 | - Portadores de carga en las bandas de energía de Semiconductor extrínseco………………………………………... |
2.9.3 | - Nivel de Fermi y la concentración de portadores de energía…………………… |
2.10 | Conductividad y movilidad electrónica………………………………………………….. |
2.10.1 |Difusión…………………………………………………………………………………. |
2.10.2 | Arrastre…………………………………………………………………………………. |
2.10.3 | Recombinación………………………………………………………………………… |
3 | UTILIZACION DE APPLETS………………………………………………………….. |
3.1 | Estructura Diamante y Zincblenda……………………………………………………….. |
3.2 | Estructura Hexagonal Cerrada…………………………………………………………… |
3.3 | Estructura cristalina y las 14 redes de Bravías…………………………………………. |
3.4 | Bandas de energía y portadores de carga……………………………………………… |
3.5| Difusión, arrastre, y recombinación……………………………………………………… |
3.6 | Recombinación indirecta a través de una brecha de estado…………………………. |
3.7 | AlGaAs (Diagrama E-k y bandas de energía)…………………………………………… |
3.8 | SiGe (Diagrama E-k y bandas de energía)……………………………………………… |
3.9 | Nivel de energía de Fermi…………………………………………………………………. |
3.10 | Función de Fermi y ocupación de electrones enestados de energía………………… |
3.12 | Concentración de los portadores en comparación al nivelde fermi y a las impurezas de donadores y aceptores dopados………………………. |
3.13 | Concentración de portadores en el silicio respecto al nivelde energía de fermi y la densidad de estados…………………………………………… |
4 | CONCLUCIONES………………………………………………………………………… |
5 | FUENTES DE INFORMACION………………………………………………………… |
5.1 |Bibliografía……………………………………………………………………………… |
5.2 | Internet…………………………………………………………………………………… |

1 | OBJETIVOS |

* Aprender cómo se forman las diferentes estructuras cristalinas que representan la composición de un sólido semiconductor.
* Entender que es la teoría de bandas de energía y como nos será de utilidad para describir el comportamiento de los electrones enmaterial semiconductor.
* Conocer las características y propiedades de los materiales conductores, semiconductores y aislantes.
* Comprender que es el modelo de Kronig-Penney y para que sirve.
* Entender que son y para que nos sirven las Distribuciones de Fermi-Dirac y de Maxwell-Boltzman.
* Comprender lo que es la conductividad y movilidad electrónica.
* Aprender a utilizar appletscomo herramientas de análisis para entender de manera visual e interactiva las estructuras y propiedades de los sólidos, conociendo la teoría que hay detrás.
* Conocer la propiedades y características del material asignado al equipo – Seleniuro de Zinc (ZnSe).

2 | FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES |

2.1 ESTADO SOLIDO

Todos...